型号:

DXT5551-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT89
批次:2年内
包装:编带
重量:0.212g
其他:
DXT5551-13 产品实物图片
DXT5551-13 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1W 160V 600mA NPN SOT-89-3
库存数量
库存:
2720
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.371
2500+
0.34
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)160V
功率(Pd)1.2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@10mA,5V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)50uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@10mA,1mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DXT5551-13

一、产品介绍

DXT5551-13是一款高性能的NPN晶体管,专为多种电子应用设计,具备卓越的电气特性和可靠性。该产品采用SOT-89-3封装,适合表面贴装工艺(SMT),为电子设备的集成度和小型化提供了保障。怀着超过一代的技术积淀,DXT5551-13在电源管理、信号放大以及开关应用中均表现出色,成为工程师和设计师在选择晶体管时的优先选项之一。

二、技术参数

  1. 额定功率:本产品的额定功率为1W,能够在多个应用场景中提供稳定的性能,并且即使在高负载情况下也能保持良好的工作温度控制。
  2. 集电极电流:DXT5551-13最大集电极电流(Ic)为600mA,确保在需要高电流驱动的场合中,依然能够提供足够的输出能力。
  3. 集射极击穿电压:集射极击穿电压(Vce)高达160V,适合用于高电压应用,提供额外的安全余量来防止潜在的电压浪涌情况。
  4. 饱和压降:在高达50mA的Ic和5mA的基极电流(Ib)下,Vce饱和压降最大值仅为200mV,显示出良好的导通性能。
  5. 电流增益(hFE):在10mA的Ic和5V的工作条件下,最小DC电流增益(hFE)为80,这意味着设备在小基极电流条件下仍能有效地控制较大的集电极电流,从而提高了放大效率。
  6. 截止电流:在最大值50nA(ICBO)下,表明其在关断状态的泄漏电流非常小,可以有效减少能量损耗。
  7. 频率特性:具有高达300MHz的跃迁频率,适合于高速开关和射频应用,确保信号传输的准确性和稳定性。
  8. 工作温度范围:该型号的工作温度范围广泛,从-55°C至150°C,可以在严苛的环境条件下可靠运行,满足多元化的应用需求。

三、应用场景

由于其优秀的电气性能,DXT5551-13可广泛应用于:

  • 电源开关:可用于电源管理电路,例如开关电源(SMPS),提供高效的电流控制。
  • 信号放大:在音频放大器和射频电路中,用作信号放大器,确保信号完整性和音频质量。
  • 开关电路:适用于电动机和继电器驱动电路,具备快速切换能力的同时也能承受高电流负载。
  • 仪器仪表:在各种测量设备中,DXT5551-13可作为关键的增益元件,提供可靠的性能支持。

四、产品优势

DXT5551-13不仅在技术规格上表现出色,同时凭借其广泛的应用适用性及高可靠性,成为电子产品设计中不可或缺的组件。其性能的优越性使得设计师可以在高压、高频和高温的条件下,依然能够安全、稳定地运作。

五、总结

DXT5551-13晶体管是一款兼具高性能与高可靠性的NPN晶体管,适合各种电子应用场景。无论是在电源管理、信号放大,还是在开关控制中,这款元器件都能提供高效、稳定的服务,是研发和生产中值得信赖的选择。选择DXT5551-13,提升您项目的性能与可靠性!