型号:

SI7611DN-T1-GE3

品牌:VISHAY(威世)
封装:PowerPAK® 1212-8
批次:-
包装:编带
重量:0.062g
其他:
SI7611DN-T1-GE3 产品实物图片
SI7611DN-T1-GE3 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 3.7W;39W 40V 18A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
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3000+
5.48
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@9.3A,10V
功率(Pd)3.7W;39W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)62nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.98nF@20V
工作温度-50℃~+150℃@(Tj)

SI7611DN-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI7611DN-T1-GE3 是 VISHAY(威世)品牌推出的一款高性能 P沟道 MOSFET,采用表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 封装,旨在满足现代电子应用对高效能和高可靠性的要求。该器件支持高达 40V 的漏源电压和可持续的 18A 漏极电流,非常适合在功率管理、电源开关和其他高效电路中广泛应用。

二、主要规格参数

  • 类型:P 通道 MOSFET
  • 封装:PowerPAK® 1212-8
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 工作温度范围:-50°C 至 150°C
  • 最大功率耗散:3.7W(在环境温度下),39W(在结温下)
  • 最大连续漏极电流(Id):18A(在结温 25°C 时)
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):3V @ 250µA
  • 在不同 Id、Vgs 下的导通电阻:最大值 25 毫欧 @ 9.3A,10V
  • 驱动电压:最大 Rds On 为 4.5V,最小 Rds On 为 10V
  • 最大栅极电压(Vgs):±20V
  • 栅极电荷(Qg):62nC @ 10V
  • 输入电容(Ciss):最大值 1980pF @ 20V

三、技术优势

  1. 高效能导通:SI7611DN-T1-GE3,以其低导通电阻特性,提供了更低的能量损耗和更高的转换效率,适用于要求高效能的电源管理领域。
  2. 宽工作温度:该 MOSFET 可在宽温度范围内稳定工作,从严酷的环境条件到标准室温,其性能保持稳定,增强了设备的可靠性。
  3. 小型化封装:采用 PowerPAK® 1212-8 封装,减小了产品体积,适应了现代电子产品对小型化和重量轻的趋势。
  4. 高功率处理能力:在高达 39W 的功率耗散能力下,该 MOSFET 可以处理高功率应用,使其在各种高负载条件下仍能正常工作。

四、应用场景

SI7611DN-T1-GE3 适用于多种电子应用,包括但不限于:

  • 电源开关:在 DC-DC 转换器和 AC 切换电路中的开关元件。
  • 电池管理系统:在电池充电和放电过程中控制电流的流向。
  • 负载驱动:驱动各种负载,包括电动机和传感器等。
  • 功率转换:用于高频和高效能的功率转换器和逆变器。

五、总结

SI7611DN-T1-GE3 是一款优秀的 P 通道 MOSFET,其低导通电阻、适用的功率和温度范围,以及高电压能力,为它的广泛应用奠定了基础。VISHAY(威世)的这一产品在功率管理和开关应用中表现出色,适合现代电子产品对高效能和高可靠性的需求。随着电子技术的发展,SI7611DN-T1-GE3 将继续在各类先进应用中发挥关键作用,成为工程师们在设计电路时的重要选择。