型号:

DTB114EKT146

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SMT3
批次:2年内
包装:编带
重量:0.034g
其他:
DTB114EKT146 产品实物图片
DTB114EKT146 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个PNP-预偏置 TO-236-3(SOT-23-3)
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.299
3000+
0.266
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)500mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)56@50mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)3V@10mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@50mA,2.5mA
输入电阻10kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

DTB114EKT146 产品概述

DTB114EKT146是一款高性能的PNP型数字晶体管,专为各种电子应用而设计,是罗姆(ROHM)公司生产的一款优质器件。其出色的性能指标和高度集成的设计,使其在现代电子设备中广泛应用。

主要特点

  1. 额定功率与电流参数

    • 此器件具有额定功率为200mW的特点,能够支持较高的电流操作。其集电极电流Ic最大可达500mA,这确保DTB114EKT146在负载较重的应用中也能保持稳定的工作状态。
  2. 击穿电压

    • DTB114EKT146的集射极击穿电压Vce可达到50V,这一高击穿电压为设备提供了良好的电气安全边际,适合在各种电压环境中稳定工作。
  3. 直流电流增益

    • 此器件在Ic=50mA,Vce=5V的条件下,具有最小的直流电流增益(hFE)值为56。良好的增益特性使得DTB114EKT146在设计中能够有效地提高信号放大能力,适用各种信号放大电路。
  4. 饱和压降

    • 最大Vce饱和压降为300mV,通常在2.5mA的基极电流及50mA的集电极电流下测得。这一特性确保了该晶体管在开关状态下的高效率,减少了能量损耗。
  5. 低截止电流

    • 此款晶体管的集电极截止电流最大仅为500nA,表现出色,有助于延长设备的电池寿命,适合便携式电子产品的需求。
  6. 频率响应能力

    • 频率跃迁能力可达200MHz,使得DTB114EKT146在高速数字电路中也能够可靠工作,满足高频信号处理的需求。

结构与封装

DTB114EKT146采用表面贴装(SMT)技术,封装类型为TO-236-3(SOT-23-3),此种封装形式有效节省了电路板空间,提高了布局的灵活性和组件间的隔离能力。紧凑的封装设计还帮助散热,并在一定程度上提高了整体性能。

应用场合

DTB114EKT146广泛应用于各种电子产品中,适合的领域包括:

  • 消费电子:如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的信号放大及开关应用。
  • 工业设备:用于控制电路和传感器信号处理。
  • 通信设备:在无线数据传输和信号调制解调器中,可用于高频信号的处理。
  • 汽车电子:在汽车的各种控制单元及仪表板应用中,提供可靠的信号放大功能。

结论

作为一款高效能的PNP型数字晶体管,DTB114EKT146凭借其小巧的封装设计、良好的电气特性和广泛的应用场景,成为现代电子设计中的首选器件之一。无论是在高频应用、低功耗电路还是复杂的信号处理任务中,DTB114EKT146都能够满足设计工程师对性能和效率的严格要求,为设备的整体表现提供了强有力的支持。