ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA 产品概述

概述

ZXMN10A07ZTA 是一种高效能 N 沟道 MOSFET，专为需要高耐压和低导通电阻的应用设计，表现出优异的性能。该器件的漏源电压（Vdss）高达 100V，最大连续漏极电流（Id）为 1A，适合于各种开关电源和负载驱动场合。ZXMN10A07ZTA 在温度范围从 -55°C 至 150°C 的工作性能，使其非常适合工业和汽车电子应用。

主要参数

1. 漏源电压 (Vdss): 100V

   • 该电压等级允许 ZXMN10A07ZTA 用于高压电源和电机驱动器等应用。

2. 连续漏极电流 (Id): 1A @ 25°C

   • 该器件能够在 25°C 的环境温度下以高达 1A 的电流平稳工作，适合一些小功率应用。

3. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA

   • 使器件能够在相对较低的电压下导通，从而减少开关损耗，并提高效率。

4. 漏源导通电阻 (Rds(on)): 700mΩ @ 1.5A, 10V

   • 低导通电阻意味着在导通状态下能量损耗小，从而提升整个系统的能效。

5. 最大功率耗散: 1.5W（Ta=25°C）

   • 在面临一定的电能转化时，该器件能够有效管理功率，确保良好的热管理。

6. 驱动电压 (Vgs): 最大为 ±20V

   • 此特性使得 ZXMN10A07ZTA 不仅适用于简单的开关应用，也能适应更复杂的电动执行器和数字信号控制电路。

7. 输入电容 (Ciss): 138pF @ 50V

   • 低输入电容特性使得其在高频应用中表现出色，降低了开关延时，提升了系统响应速度。

应用场景

ZXMN10A07ZTA 适合于多种应用，包括但不限于：

• 开关电源 (SMPS): 在电源转换过程中，ZXMN10A07ZTA 可高效地控制功率流动。
• 电机驱动: 该 MOSFET 可用于直流或交流电机控制，提供高效的开关和控制性能。
• 汽车电子: 由于其高工作温度范围和良好的稳健性，ZXMN10A07ZTA 是汽车电气系统优秀的选择。
• LED 驱动: 在 LED 照明和相关照明产品中，通过快速开关控制提升系统效率。

封装与安装

ZXMN10A07ZTA 采用 SOT-89-3 封装（也被称为 TO-243AA），适合表面贴装技术，节省空间并提供更好的热放散能力。该封装在现代电子设计中普遍应用，特别是在尺寸和效率要求较高的案例。

品牌与质量

本产品由美台品牌 DIODES 制造，因其在电子元器件领域的突出的市场地位和严格的质量控制体系而受到业界的广泛认可。DIODES 公司长期以来专注于半导体产品的开发，并为客户提供高品质且具有竞争力的产品。

总结

通过提供合适的电流、电压和优秀的导通电阻，ZXMN10A07ZTA MOSFET 是各种现代电子设计的理想选择。它在高压和高频应用中的卓越表现，使其成为工程师和设计师的首选。在选择高性能 N 沟道 MOSFET 组件时，ZXMN10A07ZTA 无疑是一个值得关注的产品，它既能满足性能需求，也具备可靠性和灵活性。