型号:

ZVN3310A

品牌:DIODES(美台)
封装:TO-92-3
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
ZVN3310A 产品实物图片
ZVN3310A 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 625mW 100V 200mA 1个N沟道 TO-92-3
库存数量
库存:
2206
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.54
100+
2.03
1000+
1.82
2000+
1.72
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10Ω@10V,500mA
功率(Pd)625mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)40pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)5pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

ZVN3310A 产品概述

一、产品简介

ZVN3310A是一款高效的N通道MOSFET(场效应晶体管),其设计能够满足多种电子应用需求。作为一款工作电压达到100V、连续漏极电流为200mA的器件,ZVN3310A以其优越的性能和可靠性,成为电子电路设计中不可或缺的一部分。该器件的额定功率耗散为625mW,能够在宽广的工作温度范围内(-55°C至150°C)稳定运行,适用于多种严酷的环境。

二、主要特性

  1. FET类型: ZVN3310A为N通道MOSFET,具有低导通电阻和高输入阻抗特性,适合用于高效能电子开关和放大电路。

  2. 漏源电压: 该器件的漏源电压(Vds)高达100V,使得它可以处理较大电压的负载,适合用于电源管理、负载驱动等应用。

  3. 连续漏极电流: 在25°C时,ZVN3310A的连续漏极电流(Id)为200mA,适合用于小功率电路或信号放大。

  4. 导通电阻: 该器件在10V的驱动电压下,最大导通电阻(Rds(on))为10Ω(在500mA时),使其在导通状态下的功耗相对较低,提升了能效。

  5. 输入电容: 于25V下的输入电容(Ciss)为40pF,低输入电容有助于提升开关速度,使得ZVN3310A在高频应用中表现更为优越。

  6. 阈值电压: 该器件的阈值电压(Vgs(th))最大值为2.4V(在1mA时),适合用于低电压驱动电路,能够在较低的控制电压下成功导通。

  7. 工作温度: 最大工作温度可以达到150°C,这使得ZVN3310A适用于高温环境,可保证长期稳定性。

  8. 封装类型: ZVN3310A采用TO-92-3封装,方便通孔安装,适用于手动焊接与自动化生产过程。

三、应用领域

ZVN3310A因其良好的电气特性与可靠性,适用于广泛的应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源: 适合用作电源开关元件,提供稳定的电压输出。
  • 马达驱动: 适用于小功率电动机的控制电路,能有效调节电机的启动、运行与停止。
  • 信号放大器: 在音频或射频电路中,ZVN3310A可以实现信号的放大,提升系统的整体性能。
  • 负载控制: 可以在家电自动化系统中作为负载控制元件,实现对电器的精确控制。

四、结论

ZVN3310A是一款性能稳定、可靠性高且应用广泛的N通道MOSFET,凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性,适合用于多种电子电路设计。无论是在家用电器、工业控制还是移动设备等领域,ZVN3310A都能提供卓越的解决方案。其优越的热性能和宽工作温度范围,确保其在各种环境下可靠运行。因此,选择ZVN3310A将为相关电子产品的设计和生产提供优异的配件支持。