描述：数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-23
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产品参数
属性参数值
额定功率250mW
集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce50V
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）30 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）150mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）1µA
功率 - 最大值250mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB
PDTA114ET,215 产品概述
产品简介
PDTA114ET,215 是一种高性能的 PNP 型数字晶体管，专为低功率开关和放大应用而设计。该晶体管采用表面贴装型封装（TO-236AB），便于在各类电子电路板上实现高密度布局。拥有250毫瓦的额定功率和50伏的集射极击穿电压，使这个元件在众多应用场景中具备出色的工作性能。
基本参数
额定功率: 250mW
- 该指标指示了晶体管在正常工作条件下能够承受的最大功率，确保在多种环境中稳定工作。
集电极电流 (Ic): 最高可达100mA
- 这个参数代表了晶体管集电极和发射极之间的电流承载能力，适合驱动小功率负载。
集射极击穿电压 (Vce): 50V
- 该电压值表示晶体管在不发生击穿的情况下能够承受的最大电压，确保其在高电压环境中的应用安全。
电流 - 集电极截止 (最大值): 1μA
- 表示在关闭状态下，晶体管的漏电流极小，有助于提高电路的功效和效率。
功率 - 最大值: 250mW
- 说明其在任何工作状态下都能保持低功耗，有助于延长设备的使用寿命。
DC 电流增益 (hFE): 最小值为 30（在不同的 Ic 和 Vce 条件下）
- 表示晶体管的放大能力，使其在作为信号放大器时能有效地提高信号强度。
饱和压降 (最大值): 150mV（在特定Ic和Ib条件下）
- 较低的饱和压降使得PDTA114ET,215在开关状态下的功率损耗更低，从而提高了功率转换效率。
应用场景
PDTA114ET,215 晶体管广泛应用于许多电子电路场合，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其能够有效控制电流，常用于开关电源领域以提高系统的整体效率。
- 信号放大电路: 结合其高电流增益特性，可用于放大微弱的模拟信号。
- 驱动电路: 此晶体管也适合驱动LED及其它小功率负载，在各类便携式设备中得到广泛应用。
安装和封装
PDTA114ET,215 采用 TO-236AB 封装，是一种较小的 SOT-23 型表面贴装元件，适合于自动化生产和高速PCB贴片工艺。这种封装尺寸小，能够在空间有限的设计中为电路提供更好的集成效果。
生产商信息
本产品由 Nexperia（安世）生产，该公司以提供高质量、高可靠性的半导体器件而闻名。Nexperia 的产品广泛应用于汽车、工业和消费类电子领域，产品质量和生产能力均得到了业界的认可和赞誉。
结论
PDTA114ET,215 是一种在多种应用场景中均具竞争力的 PNP 晶体管，凭借其强大的性能参数和高集成度，能够满足现代电子设备对小型化、低功耗和高效能的需求。无论是进行开关控制，还是进行信号放大，PDTA114ET,215 都是理想的选择。