PSMN8R5-60YS,115

产品概述：PSMN8R5-60YS,115

1. 概述

PSMN8R5-60YS,115 是由 Nexperia（安世半导体）公司生产的一款高性能 N沟道金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)。其设计旨在满足高功率、高效能应用的需求，其主要指标如下：漏源电压（Vdss）高达 60V，连续漏极电流（Id）为 76A，最大功率耗散为 106W，并且具有优异的导通电阻特性。这些参数使该组件特别适合用于电源管理、变换器、马达驱动等多种高效能电路设计中。

2. 关键参数

• 漏源电压（Vdss）: 60V
• 连续漏极电流（Id）: 76A (在 Tc=25°C 时)
• 驱动电压（Vgs）: 10V（确保最大 Rds On）
• 导通电阻（Rds On）: 8mΩ（在 15A 和 10V 时测得）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V（在 1mA 时测得）
• 最大功率耗散: 106W（在 Tc=25°C 时）
• 工作温度范围: -55°C 到 175°C
• 封装类型: LFPAK56，Power-SO8（表面贴装型）

3. 设计优势

PSMN8R5-60YS,115 使用先进的 MOSFET 技术，具有多个设计优势：

• 低导通电阻: 其导通电阻低至 8mΩ，在高电流工作情况下能有效减少功耗和热量的产生，提升了整体的能效和可靠性。
• 高电流处理能力: 在 76A 的电流处理能力下，该元件非常适合要求严格的高功率应用。其高功率耗散能力（106W）确保了在恶劣工作条件下的稳定性。
• 宽广的工作温度范围: 适应 -55°C 到 175°C 的宽广工作温度使其可以在极端环境下可靠运行，适用性广泛。
• 优异的开关特性: 较低的栅极电荷（Qg = 39nC @ 10V）和输入电容（Ciss = 2370pF @ 30V）确保快速开关操作，提高了开关频率下的效率。

4. 应用场合

PSMN8R5-60YS,115 广泛应用于多个高效能电子设备中，包括但不限于：

• 电源管理: 用于电源供应器、DC-DC 转换器中，以实现高效电源转换和管理。
• 马达驱动器: 在电动机控制及驱动电路中，能够提供稳定的电流和高效能的功率传输。
• LED照明: 作为 LED 驱动电路中的开关元件，改进光效及电源效率。
• 汽车电子: 满足汽车应用的严苛环境和高效能要求，广泛应用于电动窗、蓄电池管理以及电动组件控制。

5. 总结

PSMN8R5-60YS,115 是一款功能齐全、高性能的 N沟道 MOSFET，特别适用于高功率和高效能的应用场合。其低导通电阻、高电流处理能力以及宽温工作范围，使其成为多种电力电子电路的理想选择。无论是在电源管理、马达驱动还是其他汽车和工业应用领域，该 MOSFET 都能提供卓越的性能和可靠性。在电气性能与散热管理上的出色表现，使设计工程师能够更加灵活地设计和优化他们的应用，提升整体系统的效率与可靠性。选择 PSMN8R5-60YS,115，即选择高效、稳定和高性价比的电子元件。