PMPB27EP,115

PMPB27EP,115 产品概述

PMPB27EP,115 是一款由安世（Nexperia）生产的高性能 P 管道 MOSFET，采用表面贴装型 DFN2020MD-6 封装。该器件专为需要高效电源管理的应用而设计，旨在满足在高温、低功耗和高效率等多种苛刻条件下的使用需求。

主要特性

1. 电气参数:

   • 漏源电压 (Vdss): 最高可达 30V，这使得该 MOSFET 能够在较高压差的应用中稳定工作，适合集成在直流-直流转换器、负载开关以及其他电源管理方案中。
   • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时达 6.1A，适合用作高电流开关应用，轻松应对各种电流需求。
   • 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 2.5V @ 250µA。该值确保 MOSFET 的开关特性高效并且项目设计灵活。
   • 导通电阻 (Rds(on)): 在 6.1A 和 10V 的条件下，最大值为 29mΩ，这意味着在开启状态下具有极低的功耗，有助于减少能量损耗和发热。

2. 功率处理能力:

   • 该器件支持的最大功率耗散为 1.7W（环境温度 Ta=25°C），在更高温度环境下的最大功率可达 12.5W（Tc）。因而，能在多种工作环境下保持良好的稳定性和安全性。

3. 工作温度范围:

   • 从 -55°C 到 150°C，广泛的温度范围使得 PMPB27EP,115 能够应用于汽车、工业和消费类电子产品中，适应各种极端环境。

4. 电容和电荷特性:

   • 在输入电容 (Ciss) 方面，最大值为 1570pF @ 15V。较小的灵敏电容值促进了较快的开关速度，从而提高了整体开关效率。
   • 栅极电荷量 (Qg) 高达 45nC @ 10V，降低了驱动电路对栅极的要求，不仅优化了系统的电源需求，还能显著提升开关频率。

5. 封装特性:

   • PMPB27EP,115 使用的 DFN2020MD-6 封装为 6 引脚裸露焊盘封装，确保了散热性能的提升，适合高密度 PCB 设计，并简化了制造工艺。

应用领域

PMPB27EP,115 在多个应用场景中表现卓越，特别是在以下方面：

• 电源管理: 在DC-DC转换器、负载开关等电源管理领域表现出优异的性能。
• 汽车电子: 耐高温性能和高电流处理能力使其适用于各种汽车电子产品中，如电动汽车的驱动控制、能量回收系统等。
• 工业自动化: 在工业设备中，PMPB27EP,115 的稳定性和高效性可有效提升设备的运行效率与可靠性。
• 消费电子: 适合用于智能手机、平板电脑和其它便携式设备的电源开关和管理。

结论

PMPB27EP,115是一款功能强大、适用多种应用场景的P沟道MOSFET。其出色的电气特性、广泛的工作温度范围以及优化的封装设计，使得这一产品在现代电子产品开发中占据了重要的市场地位。选择PMPB27EP,115，将为您的设计带来更高的效率及可靠性。无论是在汽车、工业还是消费电子产品中，PMPB27EP,115都能提供卓越的性能表现，让您的项目更具竞争力。