型号:

DTD113EKT146

品牌:ROHM(罗姆)
封装:SMT3
批次:5年内
包装:编带
重量:0.034g
其他:
DTD113EKT146 产品实物图片
DTD113EKT146 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置 TO-236-3(SOT-23-3)
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产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)500mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)33@50mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)500mV@20mA,5V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)100mV@50mA,2.5mA
输入电阻1kΩ
电阻比率1
工作温度-25℃~+150℃

DTD113EKT146 产品概述

一、产品简介

DTD113EKT146是一款由日本著名半导体制造商ROHM(罗姆)生产的数字晶体管,采用表面贴装型封装(SOT-23-3),为现代电子电路设计提供了强大的性能支持。该器件定位为NPN型预偏置晶体管,广泛应用于各种数字电路和开关电路中,特别适合高频低功耗的应用场合。

二、主要参数

  1. 安装类型:作为表面贴装型(SMD)电子元件,DTD113EKT146适用于高密度表面贴装PCB(印刷电路板),大大减小了电路板的占用空间,提高了生产效率。

  2. 最大集电极电流 (Ic):该晶体管的最大集电极电流为500mA,使其在大多数小功率应用中具备足够的驱动能力,适合电源开关、信号放大等用途。

  3. 最大集射极击穿电压 (Vce):允许的最大Vce为50V,确保在高压环境下仍能稳定工作,适合各种供电电压条件下的应用。

  4. 集电极截止电流:在断开状态下,最大集电极截止电流为500nA,这一较低值有助于降低电路的静态功耗,提高整体系统的能效。

  5. DC电流增益 (hFE):在Ic为50mA、Vce为5V时,最小的DC电流增益(hFE)为33,确保输出信号得到良好的放大,提升了元件的驱动能力和开关效率。

  6. 饱和压降 (Vce(sat)):在不同的Ib和Ic条件下,Vce饱和压降最大为300mV(@ 2.5mA,50mA),这样低的饱和压降能够有效降低功耗,提高电路的工作效率。

  7. 功率耗散:该晶体管的最大功率耗散为200mW,适合于低功率应用,保证器件在负载下高效稳定运行。

  8. 频率特性:能够支持高达200MHz的跃迁频率,适合用于数据传输、射频(RF)及其他高速信号处理领域,确保其在高速开关和放大应用中的性能出色。

  9. 基极和发射极电阻:基极和发射极的电阻均为1kΩ,帮助实现稳定的工作点并确保良好的线性度,提高电路的整体性能。

三、应用领域

DTD113EKT146适用于众多领域,包括但不限于:

  • 开关电源:在开关模式电源(SMPS)中,用于快速开关控制,提高电源转换效率。

  • 信号处理:在音频、视频信号放大器中,用该晶体管以实现低功耗、低失真的信号放大。

  • 数字电路:在各种数字设备中充当开关,控制信号和电源的传递,广泛应用于微控制器和集成电路的外围驱动。

  • 通讯设备:利用其高频特性,适合用于RF信号放大,支持各种无线和有线通信系统。

四、总结

综上所述,DTD113EKT146是一款性能卓越的NPN类型数字晶体管,具有500mA的集电极电流能力和50V的集射极击穿电压,适合于现代电子设计中的多种应用,其低功耗和高频特性使其在各种高效能设备中发挥重要作用。ROHM凭借其优良的制造工艺和严格的质量控制,为行业提供了一款可靠的元器件。无论是在消费电子、通讯设备还是工业控制系统中,DTD113EKT146都能帮助工程师们实现创新设计,提升产品性能。