型号：
DMT4004LPS-13
品牌：DIODES(美台)
封装：PowerDI5060-8
批次：23+
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存数量
库存：
4515
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.86
100+
3.22
1250+
2.93
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)26A（Ta），90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）2.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）82.2nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4508pF @ 20V
功率耗散（最大值）2.6W（Ta）, 138W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerDI5060-8
封装/外壳8-PowerTDFN
DMT4004LPS-13 产品概述
一、基本信息
DMT4004LPS-13 是一款高性能的 N 通道MOSFET（绝缘栅场效应管），由美台（DIODES）公司制造。该器件采用表面贴装技术，封装类型为 PowerDI5060-8。其额定参数使得它在各类电子应用中表现出色，特别是在高效能和高功率密度的电源管理系统中。
二、技术特点
电气性能：
- 漏源电压（Vdss）：该MOSFET的最大漏源电压为 40V，适合在中等电压范围内的应用，确保了器件的安全和稳定运行。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的情况下，这款器件支持最高 26A 的连续漏极电流，但在更高的散热条件下（如 Tc），则可以承受高达 90A 的电流，这使得它在高负载应用中表现更加出色。
- 导通电阻（Rds On）：在 10V 的栅源电压下，导通电阻最大为 2.5mΩ（在 50A 时），极低的导通电阻有助于减小功率损耗和发热，从而提高整体效率。
驱动和控制：
- 驱动电压：该器件需提供 4.5V 或 10V 的栅源驱动电压以达到最小和最大导通电阻。这使得其在不同电源设计中的适用性更强。
- 栅极电荷（Qg）：在10V条件下，栅极电荷最大值为 82.2nC，这一数值表明在开关操作时栅极充放电速度较快，从而提高开关频率的性能。
温度特性：
- 工作温度范围：器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，显示了其在极端环境中的可靠性。
封装和散热：
- 封装类型：采用 PowerDI5060-8 封装，具有优良的热管理性能，有助于提升器件的可靠性和使用寿命。
- 功率耗散：最大功率耗散为 2.6W（在环境温度 Ta 下），在结温 Tc 条件下可高达 138W，这使得此器件在高功率应用中非常具备竞争力。
电容特性：
- 输入电容（Ciss）：在 20V 时最大输入电容为 4508pF，这一参数有助于判断MOSFET在高速开关时的响应速度。
三、应用领域
凭借其卓越的电气性能和耐高温特性，DMT4004LPS-13 适合多种应用场景，如：
- 电源管理：广泛应用于开关电源、DC-DC转换器等高效电源设计中，适应于消费电子、通信设备等领域。
- 电机驱动：在电动机驱动、电动车辆和工业自动化设备中发挥关键作用，通过高效的功率转换和控制提升系统整体效率。
- 照明设备：在LED驱动和智能照明系统中，通过精准的开关控制，增加了系统的可靠性和能效。
- 消费电子：诸如电池管理、充电器等应用中，确保低功耗和高效能的转换。
四、总结
DMT4004LPS-13 是一款高效能的 N 通道MOSFET，其优异的电压、电流与温度特性使其在现代电子应用中具备广泛的适用性，无论是用于严苛的工业环境，还是为高性能消费电子产品提供解决方案，都可满足各类需求。选择 DMT4004LPS-13，用户可以获得性能、可靠性与灵活性的完美结合，推动其设计的进一步创新与升级。