型号:

DDTA114EUA-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT323
批次:23+
包装:编带
重量:0.032g
其他:
DDTA114EUA-7-F 产品实物图片
DDTA114EUA-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-323-3
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.505
200+
0.168
1500+
0.105
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)40V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)82@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.9V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)3V@5mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)100mV@10mA,0.5mA
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DDTA114EUA-7-F

DDTA114EUA-7-F是一款由美台(DIODES)公司生产的数字晶体管,采用PNP型结构,具有预偏置功能。它是专为低功耗和高频应用设计的,其紧凑的封装(SOT-323)使其非常适合用于空间受限的电路设计。这款晶体管主要应用于各类数字电路和信号放大领域,充分满足现代电子设备对高集成度和高性能的需求。

主要性能参数:

  1. 集电极电流(Ic):此晶体管能够承受的最大集电极电流为100mA,适合用于一般的驱动电路和放大器电路。

  2. 集射极击穿电压(Vce):最大集射极击穿电压为50V,这一参数确保该晶体管在高电压环境下的工作稳定性,使其在各种应用场景中表现出色。

  3. 额定功率:DDTA114EUA-7-F的最大功率为200mW,这使其能够在降低功耗的同时,满足各种应用的性能需求。

  4. 电流增益(hFE):在特定条件下(5mA,5V),该晶体管的直流电流增益最低可达30,确保了信号放大的有效性。

  5. 饱和压降(Vce(sat)):在条件为500µA电基极电流和10mA集电极电流下,其最大饱和压降为300mV,表明在开关状态下的功耗较低,对于减少热量的产生非常有利。

  6. 集电极截止电流:该晶体管的最大集电极截止电流为500nA,展示了其良好的关态性能,适用于高阻抗电路。

  7. 频率特性:频率跃迁达到250MHz,这为其在高频信号处理中的应用提供了极大的灵活性和适用范围。

应用领域:

DDTA114EUA-7-F凭借其优良的电气参数,适合用于多种电子应用,如:

  • 开关电路:由于其低饱和压降和高电流增益,适合用作开关元件,能够高效地驱动负载。

  • 信号放大器:在声音信号、射频信号等多种信号处理中,DDTA114EUA-7-F能够有效地提升信号强度,改善系统性能。

  • 微控制器接口:在微控制器和其他数字电路之间,利用其良好的增益特性连接信号,确保数据传输的有效性。

  • LED驱动:可用于LED灯的驱动电路中,控制LED的开关状态和亮度。

安装与封装

DDTA114EUA-7-F采用表面贴装型(SMT)封装(SOT-323),这使得其在电路板上的布局密度大大增加。SOT-323封装不仅提供了优良的电气性能,还有效地减少了PCB的占用空间,适合于移动设备和消费电子产品的设计。

结论

总结来说,DDTA114EUA-7-F是一款多功能、高性能的PNP预偏置数字晶体管,具有稳定的工作参数和优良的电气特性,适合于多种数字和模拟应用。随着现代电子产品对小型化、低功耗及高性能的不断追求,DDTA114EUA-7-F无疑将在众多电子设计中发挥不可或缺的作用。无论是在新产品开发还是替代传统产品的应用场景,DDTA114EUA-7-F都将是一种理想的选择。