型号:

DMN4800LSSL-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
DMN4800LSSL-13 产品实物图片
DMN4800LSSL-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.46W 30V 8A 1个N沟道 SO-8
库存数量
库存:
2500
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.829
2500+
0.768
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,8A
功率(Pd)1.46W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.7nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)798pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)122pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

DMN4800LSSL-13 产品概述

一、基本介绍

DMN4800LSSL-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由美台(DIODES)公司制造。该器件采用了 8-SOIC 封装,具有紧凑的尺寸和卓越的电气特性,广泛应用于各种电子设备中的开关电路和功率管理应用。其设计旨在满足现代电子产品对高效能、低损耗和高可靠性的需求。

二、主要参数

DMN4800LSSL-13 的主要电气参数包括:

  • 漏源电压(Vdss): 30V,适用于中低压应用。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下,可达到 8A,保证了良好的负载能力。
  • 导通电阻(Rds On): 在 10V 的栅极驱动电压下,最大导通电阻为 14 毫欧,确保在高电流下的低功耗和散热。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为 1.6V(在 250µA 漏电流下),适合于低电压驱动的开关操作。
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为 8.7nC(在 5V 下),有利于快速开关及低功耗的门驱动。
  • 输入电容(Ciss): 最大值为 798pF(在 10V 下),有助于降低开关损耗。

三、使用环境与可靠性

DMN4800LSSL-13 具备广泛的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,适应严苛工作环境条件,确保在高温和低温条件下仍能稳定工作。其最大功率耗散能力为 1.46W,使得该器件非常适合于需要小型化和高散热能力的应用场景。

四、封装与安装

该器件采用 8-SOIC(小型外形集成电路)封装,封装尺寸为 0.154"(3.9mm 宽),便于表面贴装(SMD)。该设计在节省空间的前提下,提供了优良的散热性能,适合于各种电子设备的主板和子板设计。

五、应用场景

DMN4800LSSL-13 N 通道 MOSFET 广泛应用于以下领域:

  • 开关电源:在开关电源转换器中,作为主开关元件以提高效率和降低损耗。
  • DC-DC 转换器:用于电压调节和功率转换,保持高效能和可靠性。
  • 电动机驱动:在电动机控制系统中实现高效能的电流控制。
  • 负载开关:适用于系统中的诸多负载开关保护和控制电路。
  • LED 驱动:在高功率 LED 照明系统中,作为开关元件,提升电光转换效率。

六、总结

DMN4800LSSL-13 是一款高效、稳定的小型化 N 通道 MOSFET,凭借其出色的电气性能和可靠性,成为当今各种电子设备中不可或缺的开关元件。无论是在工业设备、消费电子还是电源管理领域,这款 MOSFET 均可为设计人员提供良好的选择。其优秀的热管理特性和宽广的工作温度范围,使其在多种应用场合中展现出色的表现,是追求性能和耐用性的理想选择。