型号:

BC848AW-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT323
批次:19+
包装:编带
重量:0.033g
其他:
BC848AW-7-F 产品实物图片
BC848AW-7-F 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 30V 100mA NPN SOT-323-3
库存数量
库存:
2705
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.496
200+
0.165
1500+
0.103
3000+
0.082
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)30V
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)110@2.0mA,5.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)5uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@100mA,5.0mA
工作温度-65℃~+150℃

BC848AW-7-F 产品概述

产品简介

BC848AW-7-F是一款高性能的NPN型双极结晶体管(BJT),广泛应用于低功耗开关和放大电路。这款晶体管的设计基于多年的技术积累和市场需求,旨在提供优异的电流放大性能,以及出色的频率响应,适应不同的电子应用场景。BC848AW-7-F以其小巧的SOT-323封装,以及高达200mW的功率处理能力,成为了众多便携式和小型电子设备的理想选择。

主要特点

  1. 电流与电压规格

    • 最大集电极电流(Ic)为100mA,允许其在各种中低功率应用中可靠工作。
    • 集射极击穿电压(Vce(max))高达30V,为电路提供了良好的保护,确保其在高电压工作条件下的稳定性。
  2. 低温差特性

    • BC848AW-7-F的饱和压降(Vce(sat))为600mV(在Ic为100mA时),在较小的基极电流(Ib)条件下仍能保持高效工作,这使其在开关模式下的能量损耗降到最低。
    • 集电极截止电流(ICBO)极小,仅为20nA,展现了优秀的漏电特性,适合高灵敏度的电路设计。
  3. 高增益与频率响应

    • DC电流增益(hFE)在2mA工作条件下最低可达110,且可在不同的集电极电流和工作电压下保持稳定,确保其在放大信号应用中表现出色。
    • 频率跃迁高达300MHz,支持高频信号放大,扩展了其在RF应用中的适用性。
  4. 环境适应性

    • 工作温度范围宽广,从-65°C到150°C,适应各种严酷的工作环境,满足高温和低温应用的需求。
    • 采用表面贴装(SMD)技术,为现代电路板设计带来了便利,有效提升了生产效率和空间利用率。
  5. 封装与品牌

    • BC848AW-7-F采用普遍应用的SOT-323封装,这是小型化设计的一部分,使其适合各种小型设备。
    • 由DIODES公司制造,该公司在半导体行业内享有良好声誉,确保了产品的质量与稳定性。

应用领域

BC848AW-7-F适合用于多种应用,包括但不限于:

  • 开关电路:可用于高效率的开关电源和控制电路中,提供快速响应和高效能。
  • 放大器电路:在声音放大、小信号放大和信号处理应用中表现优异,适合用于音频设备和传感器信号放大。
  • 射频(RF)应用:其高频特性使其适合用于移动通讯、无线设备和射频放大器。
  • 便携式设备:由于其低功耗和小型封装,非常适合用于手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中。

结论

BC848AW-7-F凭借其优良的电气特性、适应广泛的温度范围及小巧的封装形态,成为设计师和工程师青睐的电子元器件之一。无论是在新产品开发还是替代现有元件方面,它都能够提供可靠的支持和优质的性能,满足不断变化的市场需求。通过选择BC848AW-7-F,设计师可以轻松实现高效、电源管理和信号处理的目标。