型号:

IRFP4229PBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-247AC
批次:21+
包装:管装
重量:7.311g
其他:
IRFP4229PBF 产品实物图片
IRFP4229PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 310W 250V 44A 1个N沟道 TO-247-3
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:400
商品单价
梯度内地(含税)
1+
9.99
10+
8.32
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)44A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)46mΩ@10V,26A
功率(Pd)310W
阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)110nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)4.56nF@25V
工作温度-40℃~+175℃@(Tj)

IRFP4229PBF 产品概述

一、产品概述

IRFP4229PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电源管理及高频开关电路中。采用先进的金属氧化物半导体技术,这款 MOSFET 具有卓越的电导通能力和热性能,非常适合高效率应用。

二、关键特性

  1. 电压和电流承受能力

    • 漏源电压(Vds):最大250V,增强了电源电路的设计灵活性,适应多种高电压应用。
    • 连续漏极电流(Id):额定44A(在控制温度 Tc 设定下)保证了其在高负载下的稳定运行,适用于需要大电流处理的工业和商业应用。
  2. 低导通电阻

    • 最大 Rds(on) 值为 46 毫欧在26A、10V Vgs 条件下,意味着该器件能够有效降低导通损耗,提高能效。这一特性使得 IRFP4229PBF 在电源管理和逆变器等应用中表现出色,从而减少发热并提升系统的可靠性。
  3. 驱动和栅极性能

    • 驱动电压(Vgs)要求为10V,适合与常见的驱动电路兼容。
    • 栅极开启电压 Vgs(th) 最大值为5V,允许器件在较低的栅极电压下开始导通,简化了控制电路设计。
    • 栅极电荷(Qg)最大值为110nC在10V,合理附加的驱动功耗,加快器件的开关响应,提升频率响应。
  4. 封装特性

    • 采用 TO-247AC 封装,这种大功率封装设计保证了优良的散热性能,适用于高功率密度的应用场景。TO-247 封装的通孔安装方式也使得该器件易于在 PCB 上实施,适应各种工业应用。
  5. 工作环境: -工作温度范围从 -40°C 到 +175°C,能够在严苛环境下稳定工作,适应高温和冷却条件变化大的场合。这样的热性能适合于高压逆变器、电动汽车、可再生能源装置等应用。

三、应用领域

IRFP4229PBF 适用于多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源:在高效率的 DC-DC 转换器中,用于提升能量转换率,降低功耗。
  • 逆变器:在光伏逆变器和风能逆变器中,用于将直流电转换为交流电,和提高电力转换效率。
  • 电力管理系统:运用于 UPS、会议电力供给等场合,增强系统的整合性和稳定性。
  • 电机驱动:在电动机控制系统中应用,有效降低开关损耗并增加电机效率。

四、总结

IRFP4229PBF 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,结合了高电压、高电流、高导通能力以及良好的热特性,适合各种工业和商用电力电子应用。其 TO-247AC 封装的设计使其在高温和重负载条件下也能优异工作,是现代电力电子设计中理想的选择。无论是在开关电源、逆变器,还是电力管理和电机驱动领域,IRFP4229PBF 都能提供可靠的性能和优秀的效率。