SUM110P06-08L-E3

产品概述：SUM110P06-08L-E3 P沟道MOSFET

产品简介

SUM110P06-08L-E3 是一款高性能的P沟道MOSFET，由威世半导体（VISHAY）公司设计和制造。其主要特点包括高达60V的漏源电压（Vdss）和110A的连续漏极电流（Id），使其在多种应用场景中成为理想选择。该元器件采用TO-263 (D2Pak)封装，适合表面贴装技术（SMT），在电路板上节省空间并易于自动化焊接。

主要参数

• 漏源电压（Vdss）：60V
• 连续漏极电流（Id）：110A（在25°C时）
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：在20A和4.5V时，导通电阻为10.5mΩ，表明该器件在工作时具有极低的损耗。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA，适合低电压驱动条件。
• 最大功率耗散：在环境温度25°C时，最大功率耗散为272W，在结温下最大为3.75W，保证MOSFET在合理的工作温度范围内。
• 工作温度范围：-55°C至175°C，适用于严酷环境。

性能优势

SUM110P06-08L-E3的设计考虑到了高效率和可靠性。其低导通电阻Rds(on)使得设备在高电流工作时能有效降低热量产生，从而提升整体系统的能效。在需要快速开关和较高电流的应用中，该型号的高输入电容（Ciss）最大值为9200pF，能够支持更高的驱动频率，以应对高动态负载变化。

此外，本MOSFET的栅极电荷（Qg）最大值为240nC @ 10V，确保了高开关频率的应用中，快速的控制响应。这一特点使得SUM110P06-08L-E3在开关控制、DC-DC转换、电机驱动等领域表现出色。

应用领域

SUM110P06-08L-E3广泛应用于多个领域，包括但不限于：

• 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电池管理系统（BMS）、以及功率因数校正（PFC）等。
• 电机驱动：适合电动机控制及驱动应用，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机控制。
• 汽车电子：由于其宽工作温度范围，适合用于汽车领域的应用，比如电动汽车、充电桩及各种汽车控制模块。
• 工业自动化：可用于工业设备的高功率开关和控制，为工厂的自动化升级提供支持。

封装和安装

该MOSFET采用TO-263 (D2Pak)封装，能够在高电流密度下保持良的散热性能。表面贴装型设计使其在现代电子设备中易于集成，适合大规模生产和使用。

总结

SUM110P06-08L-E3 P沟道MOSFET是威世公司推出的高性能组件，凭借其出色的电气特性和广泛的应用场景，成为了工程师在电源和驱动设计中的首选元件。无论是提高功率转换效率，还是降低系统的热管理需求，该器件都为现代电子产品的发展提供了坚实的基础。其理想的工作参数和宽泛的应用范围使之在市场中独树一帜，是确保设计高效、可靠及经济性的重要组成部分。