描述：通孔-N-通道-600V-21A（Tc）-160W（Tc）-TO-220AB
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产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-220-3
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）600V
安装类型通孔(THT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）160 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）84nC @ 10V
Vgs（最大值）±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2400pF @ 50V
功率耗散（最大值）160W（Tc）
工作温度150°C（TJ）
供应商器件封装TO-220AB
STP25NM60N 产品概述
STP25NM60N是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、逆变器、开关电源和电机控制等领域。其具备高漏源极电压及优越的电流承载能力，适合高功率应用及高效率的开关电源设计。
1. 基本参数与特性
STP25NM60N采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合于通孔安装，在不同的工作环境中均能保持稳定的性能。其主要电气参数如下：
- 漏源极电压 (Vdss): 600V
- 连续漏极电流 (Id): 21A (Tc=25°C)
- 最大功率耗散: 160W (Tc)
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 160毫欧 @ 10.5A, 10V
- 栅极电压 (Vgs): ±25V
- 最大工作温度: 150°C (TJ)
- 输入电容 (Ciss): 2400pF @ 50V
- 栅极电荷 (Qg): 84nC @ 10V
2. 应用领域
由于其高称重承载能力及出色的电气性能，STP25NM60N可广泛应用于以下几个领域：
- 开关电源: 在开关电源设计中，STP25NM60N可有效提高效率，减少热损耗。
- 逆变器: 该MOSFET能够处理高达600V的电压，是太阳能逆变器和其他高电压应用的理想选择。
- 电机控制: 无论是直流电机还是步进电机，STP25NM60N都能够提供稳定的驱动能力。
3. 性能优势
高电压承载能力: STP25NM60N的高漏源电压可以在高电压应用中提供额外的安全余量，这意味着在瞬态条件或谐波干扰下，设备能保持稳定运行。
低导通电阻: 低Rds(on)意味着在导通状态下功耗低，最终提高了设备的效率。这对于要求节能的现代电子设备尤其重要。
优良的散热性能: TO-220封装使得STP25NM60N可以有效散热，使得其在高功率应用中仍然运行稳定。
适应性强: 无论是低频开关还是高频开关应用，STP25NM60N都能够以优良的性能满足设计需求，适用的栅极电压范围和高操作温度让其在多种条件下均能安全操作。
4. 设计考虑
在设计电路时，使用STP25NM60N需要注意以下几点：
- 栅极驱动电压: 确保Vgs在额定范围内，过高或过低的栅压将影响MOSFET的导通状态。
- 散热管理: 在功耗较大的设计中，须考虑适当散热，确保MOSFET在推荐的工作温度范围内运行。
- 电流管理: 尽量使电流在MOSFET的额定范围内，以防止设备过载。
5. 总结
STP25NM60N是一个兼具高性能和高可靠性的N沟道MOSFET，广泛适用于各类电源管理和控制应用。其600V的高耐压设计、低导通电阻及优秀的功率处理能力，使得它成为现代电子设计中不可或缺的基本元件之一。通过合理的选型与应用，STP25NM60N能够帮助工程师实现高效率、节能的电气设备，满足日益增长的市场需求。