STD3NK80Z-1

产品概述：STD3NK80Z-1 N沟道MOSFET

概述： STD3NK80Z-1是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），适用于高电压和高功率应用场合。该器件由意法半导体（STMicroelectronics）生产，具有高达800V的漏源极电压（Vdss）和最大功率耗散能力为70W。这款MOSFET具有多种优势，包括良好的导通特性、低导通电阻和宽广的工作温度范围，特别适用于电力转换、开关电源、逆变器等领域。

主要参数：

1. 封装和规格

   • 封装类型: TO-251-3短引线（IPak），即TO-251AA
   • 通孔安装类型: 适合传统通孔技术的电路板应用。

2. 电气特性

   • 漏源极电压（Vdss）: 最高可达800V，这使得该MOSFET适合高压应用。
   • 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，最大可以达到2.5A。
   • 栅源电压（Vgs）: 最大为±30V，为器件提供了更广的驱动电压范围。
   • 导通电阻（Rds (on)）: 在10V 的栅驱动电压下，以1.25A的漏电流测试，最大导通电阻为4.5Ω。这意味着在实际应用中，功耗较低并且效率较高。
   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为4.5V @ 50µA，表明器件开始导通的电压较低，有助于实现更灵活的电路设计。
   • 输入电容（Ciss）: 在25V测试时，最大输入电容为485pF，确保了快速开关和高频操作能力。
   • 栅极电荷（Qg）: 在10V驱动下，栅电荷最大值为19nC，有助于降低驱动功率，提高系统效率。

3. 功率和热管理

   • 功率耗散: 达到70W（Tc），允许器件在高负载条件下可靠工作。
   • 工作温度范围: 从-55°C到150°C的广泛工作温度范围，使其适用于严苛的环境条件。

应用领域： STD3NK80Z-1 MOSFET广泛应用于电力电子行业，适合以下应用场合：

• 开关电源: 可用于AC-DC变换器和DC-DC变换器。
• 逆变器: 在太阳能逆变器、电动汽车驱动器中进行直流电与交流电的转换。
• 电机控制: 适用于推进电机的高效控制。
• 电子负载: 在测试和测量设备中作为负载开关。
• 灯具驱动: 在高压灯具中用作开关元件。

总结： STD3NK80Z-1是一款兼具高性能和高可靠性的N沟道MOSFET，凭借其高电压和电流处理能力、低导通电阻及宽温度范围，在电力电子和其他高功率应用领域展现出色的适用性。它的设计考虑了高效能和可靠性，使其成为众多高端电子设计的理想选择。无论是在开关电源、逆变器还是电机控制领域，STD3NK80Z-1都能够提供卓越的性能，并为工程师们在实际应用中带来便利和灵活性。