SIS413DN-T1-GE3

产品概述：SIS413DN-T1-GE3

概述

SIS413DN-T1-GE3是一款高性能的P沟道功率MOSFET，型号由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）提供，专为要求高效能和高可靠性的电子设备设计。该产品以其优越的电气特性和广泛的工作温度范围而备受青睐，适用于各种功率开关和线性应用场合。

主要规格

• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 连续漏极电流（Id）: 18A（在25°C时）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.5V @ 250µA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 9.4mΩ @ 15A, 10V
• 最大功率耗散（功耗）: 52W（在Tc下），3.7W（在Ta下）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 封装类型: PowerPAK® 1212-8
• 驱动电压: 4.5V和10V
• 栅极电荷（Qg）: 110nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）: 4280pF @ 15V
• Vgs最大值: ±20V

设计特点

SIS413DN-T1-GE3的设计中考虑了许多关键因素，以确保其在高负载条件下的稳定性与效率。产品采用PowerPAK® 1212-8封装，显著降低了电路设计的占板面积，同时为散热提供了更佳的性能。这种封装还使得器件更易于表面贴装，提高了生产效率和可靠性。

在电气特性方面，该MOSFET提供的低漏源导通电阻(Rds(on))能力使得用户能够在较低的功率损耗下进行高电流驱动，适合用于电源管理系统、高效开关电源和电动汽车应用等领域。

应用领域

SIS413DN-T1-GE3适用于各种电子应用，包括但不限于：

• DC-DC变换器：作为开关元件，维持工作效率与电源稳定性。
• 电源管理：在宽范围电压输入环境中，提供可靠的能量分配。
• 电动机控制：驱动直流电动机，加速反馈确保动态性能。
• 消费电子：提高便携式设备和家用电器的能效。
• 工业自动化：在各种控制和监测系统中保证高效能和稳定性。

性能优势

1. 高电流承受能力：18A的连续漏极电流能力，使得SIS413DN-T1-GE3在严苛的应用场景下也能保持稳定运行。
2. 低导通电阻：电流流过时的低Rds(on)值极大地减少了热量产生，提高了能效。
3. 宽工作温度范围：其能够在-55°C至150°C的范围内稳定工作，使其能够在极端环境中应用。
4. 可靠的阈值电压：在设计中具备的2.5V的栅源极阈值电压，使得其能与更低电压的控制信号兼容。
5. 易于集成与应用：表面贴装的特性方便了在现代电子设备中的集成，有利于节省空间。

总结

SIS413DN-T1-GE3是VISHAY提供的一款可靠的P沟道功率MOSFET，结合了高性能的电气特性和宽广的工作条件，非常适合在现代电子设计中广泛应用。其卓越的散热能力和低功耗特性，使其在电动汽车、工业自动化、消费电子等领域中都具有极大的使用潜力。选择SIS413DN-T1-GE3不仅能提升产品可靠性，还有助于改善系统整体性能，是开发高效电力系统的理想解决方案。