SI7938DP-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI7938DP-T1-GE3是一款由VISHAY(威世)公司生产的高效能双N通道MOSFET。该产品封装为PowerPAK® SO-8双封装,专为高功率和高频率应用而设计,其电气性能卓越,适合多种工业和消费类电子设备的需求。
二、主要特性
电气参数:
- 漏源极电压(Vdss): SI7938DP-T1-GE3的漏源电压高达40V,确保在许多工作条件下都能保持稳定的性能。
- 连续漏极电流(Id): 在推荐的工作条件下,这款MOSFET可以承受高达60A的连续漏极电流,适合高负载应用。
- 导通电阻(Rds(on)): 在18.5A、10V的条件下,最大导通电阻为5.8毫欧,低导通电阻意味着在工作时可有效减少功耗与发热。
- 门极电荷(Qg): 在10V条件下,最大门极电荷为65nC,确保快速的开关响应,有助于提高系统效率。
温度范围:
- 工作温度范围为-55°C至150°C,这使得SI7938DP-T1-GE3适用于极端环境条件下的可靠操作,广泛应用于汽车电子、工业控制及消费电子等领域。
封装与安装:
- 封装类型: 采用PowerPAK® SO-8双封装,具有良好的散热性能及强大的机械强度,适合表面贴装(SMT)技术的自动化生产流程。
- 安装类型: 该元器件使用表面贴装方式,便于自动焊接,适合现代大规模生产的需求。
三、应用领域
SI7938DP-T1-GE3的优异特性使其在多个领域都有广泛的应用:
- DC-DC 转换器: 由于其高效率与低功耗,适合用于开关电源的高效转换。
- 电动工具: 在电动工具中,此MOSFET可用于提供高电流的驱动,保证工具的强大动力输出。
- 电动车辆: 其耐高温及高电流特性使其成为电动车电池管理系统的理想选择。
- 消费电子产品: 用于电脑、电视等设备的供电管理中,以提高电源的转换效率。
四、竞争优势
SI7938DP-T1-GE3相较于市场上其他同类产品,具备以下竞争优势:
- 高电流承载能力,适用于对电流需求较高的应用场景。
- 低导通电阻,在大电流下仍能保持低功率损耗,降低系统热量产生。
- 广泛的工作温度范围,适合多种行业及环境条件,有助于提升系统的整体可靠性。
- 易于焊接的封装形式,为制造商提供灵活的设计和生产解决方案。
五、总结
SI7938DP-T1-GE3是VISHAY公司推出的一款高性能双N通道MOSFET,具有卓越的电气参数和稳定的工作温度范围,是现代高效电源设计及驱动应用的理想选择。该产品支持广泛应用,能够满足行业对高电流与高效率的需求,为设计工程师提供了更多的设计自由度和创新空间。