SI7463ADP-T1-GE3

产品概述：SI7463ADP-T1-GE3

概述

SI7463ADP-T1-GE3 是一款由威世（Vishay）制造的高性能 P 沟道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装。这款 MOSFET 适用于各种要求高电流和低导通电阻的应用场景，尤其在功率管理和电源转换领域具有显著优势。

主要特性

1. 封装类型和尺寸：该器件使用 PowerPAK® SO-8 封装，这种小型表面贴装设计有助于提高电路板的空间利用率，适合于现代微型电子设备。

2. 电气参数：

   • 漏源极电压（Vdss）：最大承受电压为 40V，使其可广泛应用于电源开关和负载驱动。
   • 最大连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，连续漏极电流可达到 46A，适合高功率应用。
   • 导通电阻（Rds On）：在 10V 驱动电压下，最大导通电阻为 10 毫欧，极低的导通电阻可以显著降低能量损耗和发热。
   • 栅源电压（Vgs）：最大栅源电压容忍度为 ±20V，使其适用于多种控制信号。

3. 驱动电压：该管子在 4.5V 和 10V 驱动电压下表现出色，提供灵活性，适应不同的驱动条件。

4. 栅极电荷（Qg）：在 10V 驱动下，栅极电荷为 144nC，表明转导效率高，从而提高开关速度，适合应用于高频场景。

5. 输入电容（Ciss）：在 20V 时，最大输入电容为 4150pF，保证了快速的响应时间和高效的驱动能力。

6. 功率耗散：在环境温度下，该器件的最大功率耗散为 5W，而在结温下可达到 39W，有效避免了因为发热造成的器件损坏。

7. 工作温度范围：该 MOSFET 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适合在极端环境中稳定运行，增加了设计的灵活性。

应用场景

SI7463ADP-T1-GE3 MOSFET 适用于多种高效能电源管理和控制的需求，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）
• 电动车辆（EV）和混合动力电动车辆（HEV）中的电力转换单元
• 电池管理系统（BMS）
• DC-DC 转换器
• 电机驱动器
• 负载开关和实现电源切换的电子电路

结论

SI7463ADP-T1-GE3 MOSFET 结合了高功率处理能力、低导通电阻和广泛的适用环境，使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。其优异的电气性能和可靠性不仅提升了整体电路的效率，还确保在严苛条件下的稳定性和持续的性能，极大地满足了市场对高效能元器件的需求。对于需要高效能、高可靠性电子设计的工程师来说，SI7463ADP-T1-GE3 是非常值得信赖的选择。