描述：表面贴装型-N-通道-100V-60A（Tc）-6.25W（Ta）-104W（Tc）-PowerPAK®-SO-8
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产品参数
属性参数值
封装/外壳PowerPAK® SO-8
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）100V
栅源电压 Vgss±20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）14 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）72nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2870pF @ 50V
功率耗散（最大值）6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
SI7178DP-T1-GE3 产品概述
SI7178DP-T1-GE3 是由威世（VISHAY）公司提供的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装。该器件专为需要高功率和效率的应用场景而设计，具有优异的热管理性能和电气特性。其主要特点和规格如下。
关键参数
封装与安装类型： SI7178DP-T1-GE3 使用表面贴装（SMT）技术的 PowerPAK® SO-8 封装。该封装结构紧凑，适合各种小型电子设备，确保在空间有限的环境中实现高效装配。
电气规格：
- 漏源极电压（Vdss）：该 MOSFET 的最大漏源极电压为 100V，适合于大多数中低压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，SI7178DP-T1-GE3 的最大连续漏极电流可达到 60A，确保其在高负载状态下的稳定性。
- 导通电阻（Rds On）：在 10A 和 10V 的工作条件下，最大导通电阻可为 14 毫欧，意味着该器件在开启状态下的能量损耗极小，能够提高整体系统的效率。
栅极驱动特性：
- 栅源电压（Vgs）：该器件允许的最大栅源电压为 ±20V，给用户在不同驱动电平下提供了灵活性。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在 250 µA 的电流下，Vgs(th) 的最大值为 4.5V，保证了 MOSFET 在低电压下即可高效开启。
- 栅极电荷（Qg）：在 10V 驱动电压下，栅极电荷为 72nC，这意味着在开关过程中能够实现快速的响应时间和低驱动功耗。
输入和输出电容：
- 输入电容（Ciss）：在 50V 的工作电压下，输入电容为 2870pF，这有助于提高开关速度和整体电路性能。
功率耗散：
- 最大功率耗散：在环境温度下，SI7178DP-T1-GE3 可处理最大 6.25W 的功率，空间温度条件下可达到 104W，显示了该器件优越的热特性，适合于高负载应用场景。
工作温度范围：
- 温度特性：工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C（结温），使其适用在极端环境下的各类电子设备中。
应用场景
由于 SI7178DP-T1-GE3 的高性能特性和可靠性，它广泛应用于以下几个领域：
- 电源管理：可以用于电源开关、DC-DC 转换器及其相应控制电路。
- 电动工具：在高功率电动工具中，可以作为驱动元器件用于控制电机。
- 电池管理：在电池充放电控制电路中，具有优良的功率性能，为提高系统效率出力。
- 自动化设备：适合各种自动化和工业控制中的功率管理解决方案，提高设备的运行效率和延长系统的使用寿命。
结论
综上所述，SI7178DP-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性和广泛的应用适应性，成为电源管理和高功率应用中不可或缺的重要元件。无论是在工业、消费电子设备还是自动化领域，威世的这一产品都能够满足严格的性能要求，助力设计师构建高效可靠的电源系统。