描述：场效应管(MOSFET) 5W 20V 13.4A 1个P沟道 SO-8
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2.11
1250+
1.83
2500+
1.75
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)13.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15.5mΩ@9A,4.5V
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)400mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)90nC@8V
输入电容(Ciss@Vds)2.38nF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)280pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
SI4403CDY-T1-GE3 产品概述
产品简介
SI4403CDY-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）制造的一款高性能 P 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），其设计主要用于低压和中功率电源管理及开关应用。采用了 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）封装，这种紧凑的表面贴装（SMT）设计非常适合在现代电子设备中占用有限的空间，并且便于自动化装配。
技术参数
- 封装类型：8-SOIC
- FET 类型：P 通道 MOSFET
- 漏源极电压 (Vdss)：最大 20V
- 栅源电压 (Vgss)：±8V
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 条件下，最大为 13.4A
- 导通电阻：在 4.5V 和 9A 条件下，最大值为 15.5毫欧
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大 1V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)：在 8V 条件下，最大为 90nC
- 输入电容 (Ciss)：在 10V 条件下，最大为 2380pF
- 功率耗散：最大为 5W
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
应用场景
SI4403CDY-T1-GE3 在多种应用场景中表现优异，特别适用于以下几种领域：
电源管理：由于其良好的导通电阻和较高的连续漏极电流能力，该 MOSFET 适合用于开关电源、稳压电源和其他电源管理电路。
负载开关：P 通道 MOSFET 常用于负载开关应用中，特别是在需要将负载连接或断开于高侧的场合。SI4403CDY-T1-GE3 的低门极电压要求使得它能够在多种控制电压下高效工作。
汽车电子：其广泛的工作温度范围和耐用性使 SI4403CDY-T1-GE3 适合在汽车电子系统中使用，例如电动座椅控制、电源分配和电动窗控制等。
便携式设备：对于需要低功率耗散和高效率的便携式电子设备，该 MOSFET 也能展现良好的性能。
性能优势
- 低导通电阻：较低的导通电阻值（15.5毫欧 @ 4.5V 和 9A）可以降低功耗并提高系统效率。
- 高电流承载能力：13.4A 的连续漏极电流能力使得 SI4403CDY-T1-GE3 可以在多种负载条件下可靠工作。
- 宽工作温度范围：-55°C 至 150°C 的工作温度范围提供了在极端环境下的可靠性，适合军事、航空航天和工业应用。
总结
VISHAY 的 SI4403CDY-T1-GE3 P 通道 MOSFET 是一款性价比高、功能全面的器件。其适应广泛电压和电流条件、高效能以及可靠性使其成为电源管理、负载开关和其它多个领域的重要元件。设计工程师在选择 MOSFET 时，可以根据 SI4403CDY-T1-GE3 的技术参数和应用场景，综合考虑此器件是是否满足最终产品的需求，以实现高效能的电路设计。