描述：表面贴装型-N-通道-30V-5A（Ta）-6-TSOP
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产品参数
属性参数值
封装/外壳SOT-23-6细型，TSOT-23-6
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）30V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）28 毫欧 @ 6.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）800mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）18nC @ 10V
供应商器件封装6-TSOP
SI3424DV-T1-E3 产品概述
一、概述
SI3424DV-T1-E3 是一款由威世（VISHAY）公司生产的高性能 N 通道 MOSFET，旨在为各种电子应用提供卓越的性能和可靠性。该器件以其紧凑的 TSOP-6 封装和表面贴装（SMT）设计，适合在面向空间受限的电路中使用。这款 MOSFET 具备较高的耐压能力和优异的导电性能，使其适合广泛的应用场景，特别是在电源管理和开关电路中。
二、关键特性
封装与尺寸：使用 TSOP-6 封装，这种紧凑的封装设计不仅节省了板面空间，而且还提升了散热性能，为电子设计提供了更大的灵活性。
电气参数：
- 漏源极电压（Vdss）：最高可达 30V，适用于低至中压电源及开关电路应用。
- 持续漏极电流（Id）：在环境温度 25°C 下，SI3424DV-T1-E3 支持高达 5A 的连续漏极电流，适合用于各种功率开关电路。
- 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅源电压（Vgs）下，当漏极电流为 6.7A 时，其最大导通电阻为 28 毫欧的优异性能，有效减少了功耗和热量产生。
开关特性：
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在 250µA 流过时，最大阈值电压为 800mV，确保 MOSFET 的高效开关操作。
- 栅极电荷（Qg）：在 10V Vgs 时的栅极电荷最大值为 18nC，说明其快速的开关特性非常适合高频应用。
三、应用场景
SI3424DV-T1-E3 的性能特点使其适合多个应用领域，包括但不限于：
- 电源管理：由于其高导电性和低导通损耗，该 MOSFET 能有效提升电源转换器的效率，广泛应用于 DC-DC 转换器和高效电源模块。
- 负载开关：能够快速高效地切换负载，对于各种电气负载（如马达驱动、照明控制等）提供可靠的控制。
- 信号切换：在音频、视频及数据线路中，作为快速的开关控制器，实现信号的切换处理。
- 电池管理系统：在电池充放电过程中，SI3424DV-T1-E3 能有效控制电流，提升系统的整体安全性和性能。
四、竞争优势
SI3424DV-T1-E3 的设计旨在满足现代电子产品对高效能和高集成度的要求。凭借其杰出的电气性能和极佳的热管理能力，该 MOSFET 在市场上具有竞争优势。威世作为知名品牌，提供可靠的产品质量和优质的技术支持，确保客户在设计及生产中的良好体验。
五、总结
作为一款高性能的 N 通道 MOSFET，SI3424DV-T1-E3 结合了出色的电气特性、 compact 封装设计及可广泛应用于各类电源和开关电路的灵活性，成为现代电子产品设计中不可或缺的关键元器件。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，SI3424DV-T1-E3 都将为设计师提供强有力的解决方案。