描述：场效应管(MOSFET) 1.25W；2.5W 30V 7.6A 1个P沟道 SOT-23
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3000+
0.938
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)29mΩ@10V,5.4A
功率(Pd)1.6W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11.4nC@15V
输入电容(Ciss@Vds)1.295nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)130pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
SI2369DS-T1-GE3 产品概述
一、产品基本概要
SI2369DS-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET，专门设计用于各种低电压和高电流应用场景。它的最大漏源电压为30V，能够承载的连续漏极电流达到7.6A，使其在多种电子电路中具有广泛的适用性。这个器件采用了先进的MOSFET技术，结合了优越的导通性能和高效的功率耗散能力。
二、主要规格及参数
漏源电压（Vdss）：
- 最大值：30V
- 该参数确保MOSFET能够在高达30V的电压下正常工作，适合用于低至中等电压电子设备。
连续漏极电流（Id）：
- 在25°C时，最大连续漏极电流为7.6A，这使得SI2369DS-T1-GE3适合于驱动各种负载，尤其在高电流需求的场合表现优异。
栅源极阈值电压：
- Vgs(th)最大值为2.5V @ 250µA，这意味着在较低电压下就能启动器件，增强了电路设计的灵活性。
漏源导通电阻（Rds(on)）：
- 在5.4A和10V的条件下，Rds(on)为29mΩ，极低的导通电阻显著降低了传导损耗，提升了整体能效。
功率耗散能力：
- 在环境温度25°C时，最大功率耗散为1.25W，而在结温情况下（Tc）可达到2.5W，具有较强的热管理能力。
工作温度范围：
- 器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，这使得SI2369DS-T1-GE3能够在各种严酷环境条件下稳定工作。
封装类型：
- 该MOSFET采用TO-236封装（也称为SOT-23），这种小型化表面贴装封装适合现代紧凑型电路设计，提升了PCB空间使用效率。
三、应用领域
SI2369DS-T1-GE3广泛应用于多个领域，主要包括：
- 电源管理：用于开关电源、DC-DC变换器的高效开关控制，提供良好的能量转换效率。
- 驱动电路：能够驱动电机、继电器和灯光等设备，适合于自动化与机器人系统。
- 音响设备：用于音频放大器和相关音响电子产品，以实现高效能与低噪声操作。
- 家用电器：如风扇、空调和其他家电的控制电路，确保设备的高效运行。
- 电动汽车：在电动车的控制系统中，使用SI2369DS-T1-GE3进行高效电机驱动和能量管理。
四、产品优势
- 高效能：极低的导通电阻和优秀的功率耗散能力，使该器件在高负载应用中效率显著提升，减少了热量的生成。
- 宽广的工作温度范围：能够适应多种环境条件，提升了客户的设计灵活性，适合严苛工作条件。
- 小型封装：TO-236封装减少了PCB占用面积，同时便于自动化生产线的处理，提高了生产效率。
五、总结
SI2369DS-T1-GE3是一款功能强大、性能卓越的P沟道MOSFET，凭借其显著的电气性能和广泛的应用前景，成为很多电子设计师和工程师的优选产品。无论是用于简单的开关控制，还是复杂的电源管理和电动机驱动，SI2369DS-T1-GE3均能提供领先的解决方案，是诸多电子产品中不可或缺的重要组件。