SI2316DS-T1-E3

产品概述：SI2316DS-T1-E3 N沟道MOSFET

一、产品简介

SI2316DS-T1-E3是一款高性能的N沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，专为低功耗应用而设计。其具有优异的漏源电压（Vdss）特性，最大可达30V。该MOSFET的连续漏极电流（Id）在25°C环境条件下为2.9A，能够满足各种电子电路对高电流输出的需求。同时，其最大功率耗散为700mW，使其在多种应用场景中表现出色。

二、关键参数

• 漏源电压（Vdss）: 30V，支持相对较高的工作电压；
• 连续漏极电流（Id）: 2.9A（25°C时），适合大多数低至中等功耗的应用；
• 导通电阻（Rds(on）: 在3.4A和10V驱动下为50mΩ，表现出色的导电性能；
• 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 最低800mV @ 250µA，适合低电平驱动；
• 工作温度范围: -55°C至150°C，适合严苛环境；
• 栅极电荷（Qg）: 最大7nC @ 10V、在高频率应用下表现优异。

三、应用领域

SI2316DS-T1-E3广泛应用于各种电子产品中，尤其是在以下领域表现突出：

• 电源管理: 在DC-DC转换器、开关稳压器及电池管理系统中，可以作为开关元件，以实现高效能量转换和管理。
• 汽车电子: 其高工作温度范围和稳健的电压、电流承受能力使其适合用于汽车上的电源切换及控制。
• 消费电子: 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，实现高效的电源切换及信号放大。
• 工业应用: 各类监控及控制电路中，例如在继电器驱动及负载开关应用中。

四、安装与封装

SI2316DS-T1-E3采用SOT-23-3（TO-236）封装设计，体积小、便于表面贴装，适合现代电子设备追求的小型化与高集成度需求。这种封装不仅简化了生产流程，还确保了更高的可靠性与稳定性。

五、性能优势

• 高导电性: 导通电阻的优势使其在较低的功耗条件下也能实现较大的电流输出，适合高效能的应用设计。
• 广泛的性能适应性: 从-55°C到150°C的广泛工作温度范围，使其适用于多种极端环境。
• 低驱动电压: 最低800mV的栅源阈值电压意味这款MOSFET能够用较低的驱动电压就能进入导通状态，为电源设计提供了灵活性。

六、购买信息

SI2316DS-T1-E3由知名电子元器件供应商VISHAY（威世）出品，确保了产品的高质量与稳定性。选用该MOSFET不仅能提升电子设计的性能，同时也方便工程师进行设计与调试。

结论

SI2316DS-T1-E3 N沟道MOSFET是一款高效、多用途的电子元器件，凭借其杰出的电气特性和广泛的应用适应性，成为现代电子设计中不可或缺的关键元件。无论是在消费电子、汽车电子还是工业应用领域，SI2316DS-T1-E3均展现出色的性能，助力工程师打造出更高效、更智能的电子设备。