SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3 产品概述

SI2307BDS-T1-GE3 是一款高性能 P 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由著名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。该器件具有出色的电气特性，适用于各种应用场景，包括电源管理、开关电源和其他低功耗应用。以下是对该产品的详细介绍。

1. 基础参数

• 漏源电压（Vdss）: 最大30V，这使得该器件适合于多种中低电压应用，能够满足常见电源模块和开关应用的要求。
• 连续漏极电流（Id）: 在25°C时，最大可达2.5A，这表明 SI2307BDS-T1-GE3 能够支持相对较高的电流负载，保证其在多种运行条件下稳定工作。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 设定在3V @ 250µA，表明器件在较小的驱动电压下即可形成导通状态，增加了电路设计的灵活性。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在10V和3.2A条件下，最大导通电阻为78mΩ，意味着在导通状态下的能量损耗极小，适应高效率电路设计。
• 最大功率耗散: 该器件在环境温度25°C时可承受750mW的功率消耗，适合需要热管理的功率应用。

2. 电气特性

• 驱动电压: 支持高达10V的栅极驱动电压，这确保了在各种工作条件下均能保持令人满意的开关性能。
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为15nC @ 10V，使得该器件在高频开关情况下仍能保持较低的驱动功耗，适应快速切换需求。
• 输入电容（Ciss）: 最大380pF @ 15V，较小的输入电容使得该器件在相应频率下具备良好的响应能力。

3. 结构与封装

SI2307BDS-T1-GE3 采用 SOT-23-3（TO-236）封装。这种表面贴装型封装通常用于空间受限的应用中，能够有效节省电路板的空间。SOT-23-3 封装的设计还兼顾了从散热到电气性能的优化，使得这个器件在小体积的同时，亦能维持优秀的电气特性。

4. 工作环境

该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C (TJ)，这使得 SI2307BDS-T1-GE3 适用在极端环境下的应用，例如汽车电子、工业控制和消费电子产品。无论是在低温或高温环境中，该器件均能稳定工作，确保系统的可靠性和安全性。

5. 应用范围

SI2307BDS-T1-GE3 可广泛应用于多种场景，包括但不限于：

• 电源管理电路：适合用于开关电源的输入和输出阶段。
• 负载开关：适合用于控制负载的开关装置。
• 电池供电设备：优化小型电子设备中的电源开关。
• 工业设备：在电动机控制、传感器和执行器中用于开关控制。

6. 总结

整合了众多优秀特性，SI2307BDS-T1-GE3 是一款可靠、易于使用的 P 沟道 MOSFET，特别适合对性能和效率有严格要求的现代电子产品。凭借其广泛的应用领域和优越的电气特性，它将在未来的电子设计中发挥重要作用。对于电路设计师和工程师而言，选择 SI2307BDS-T1-GE3 是确保产品性能的明智之选。