PMDT290UNE,115

PMDT290UNE,115 产品概述

概述

PMDT290UNE,115 是一款由安世半导体（Nexperia）推出的高性能 N 通道 MOSFET，采用 SOT-666 封装设计，旨在为各类高频率和高效率电子电路提供优异的开关性能和热管理能力。该器件具有500mW的最大功率额定，漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流可达800mA，广泛应用于低电压、高性能的电源管理、电机控制及信号开关等场景。

关键性能参数

1. 工作特性：

   • 具有优异的导通电阻特性，在500mA电流和4.5V的栅源电压下，最大导通电阻为380mΩ，这使得其在低功耗应用中表现出色，有助于降低功耗和发热量。

2. 电气特性：

   • 输入电容（Ciss）在10V时的最大值为83pF，意味着在切换过程中可以实现更快速的响应速度，适合高频应用。
   • 栅极电荷（Qg）在4.5V的条件下最高为0.68nC，这使得器件在开关操作时能更快到达所要求的导通状态，从而提高整体效率。

3. 阈值电压：

   • 栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为950mV（250µA），这意味着即使在较低的栅源电压下（逻辑电平），该MOSFET也能可靠导通，适合与逻辑电平电路直接配合使用。

4. 温度范围：

   • PMDT290UNE,115 可在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作，适用于各种严苛环境。

应用领域

• 电源管理：由于其低导通电阻和高开关频率特性，PMDT290UNE适合用于DC-DC转换器、线性稳压器及其它电源管理电路。
• 电机控制：该MOSFET可用于无刷电机驱动，具有快速开关能力和低功耗特性。
• 信号开关：PMDT290UNE,115 的高频特性使其非常适合用作高频开关和信号调理应用。
• 逻辑电平接口：由于其兼容逻辑电平，PMDT290UNE可直接与微控制器和其他逻辑电路连接，简化设计流程。

封装与生产

• PMDT290UNE,115采用行业标准的SOT-666封装，具有良好的热性能和小型化设计，适用于有限空间的电路板布线。同时，SOT-666封装的设计保证了良好的焊接性和机械强度，确保器件的可靠性。

总结

PMDT290UNE,115 是一款功能强大、性能卓越的N通道MOSFET，适用于各种现代电子设备。其紧凑的封装、优异的导电特性及广泛的工作温度范围，使其在电源管理、电机控制及信号开关等应用中脱颖而出。无论是在严苛的工业环境还是在消费类电子产品中，这款MOSFET都能为工程师提供高效能和可靠性的解决方案。对于希望将高效能和紧凑设计相结合的开发项目，PMDT290UNE,115 是一个理想的选择。