型号:

PESD3V3S2UT,215

品牌:Nexperia(安世)
封装:TO-236AB
批次:2年内
包装:编带
重量:0.024g
其他:
PESD3V3S2UT,215 产品实物图片
PESD3V3S2UT,215 一小时发货
描述:20V-夹子-18A(8-20µs)-Ipp-TVS-二极管-表面贴装型-TO-236AB
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.271
3000+
0.24
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压20V
峰值脉冲电流(Ipp)18A
峰值脉冲功率(Ppp)330W@8/20us
击穿电压5.2V
反向电流(Ir)2uA
通道数双路
防护等级IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容207pF

产品概述:PESD3V3S2UT,215

一、基本信息
PESD3V3S2UT,215 是一款由知名半导体供应商 Nexperia(安世)生产的瞬态抑制二极管(TVS Diode),其主要设计目的是为电子设备提供有效的过压保护。该二极管具有单向结构,适用于保护电子线路免受脉冲电压和其他瞬态电流的影响,特别是在数据线、信号线以及电源线中的应用。

二、技术参数

  1. 极性:单向(Unidirectional),适合需要单向电流的电路保护。
  2. 峰值脉冲电流:本产品在10/1000微秒脉冲下的峰值电流为18安培,8/20微秒脉冲下也能提供相同的电流承受能力。这使得其在对抗高能瞬态脉冲时拥有较强的保护性能。
  3. 箝位电压:在最大20V的情况下,它提供了良好的电压抑制能力,确保在过压条件下不会对后级电路造成伤害。
  4. 击穿电压:击穿电压的最小值为5.2V,确保在正常工作条件下不会意外触发,并在设定的保护范围内保持良好的性能。
  5. 反向关断电压:典型值为3.3V (最大),这一数值对于保护低电压应用至关重要。
  6. 电容特性:在1MHz的频率下,该二极管的电容为207pF,适合用于高速数据传输,且不会对信号造成显著的衰减或失真。
  7. 工作温度范围:该产品能在-65°C到150°C的宽广温度范围内稳定工作,适合不同环境条件下的应用。
  8. 封装类型:PESD3V3S2UT,215采用TO-236AB表面贴装型封装,这种小型封装便于集成至现代紧凑型电子设备中。

三、应用场景
PESD3V3S2UT,215 主要应用于:

  • 数据传输和控制信号线路的过压保护,防止静电放电(ESD)造成的损害。
  • 消费电子产品中的电源和信号接口保护,如手机、平板电脑、笔记本和电视机等。
  • 工业设备、汽车电子系统和其他需防护的敏感电子电路。

四、竞争优势

  1. 高可靠性:作为成熟品牌的产品,其质量稳定性高,适用于要求严格的工业和商业环境。
  2. 小型化设计:TO-236AB封装使其在空间有限的应用中非常灵活且易于集成。
  3. 宽温度操作范围:支持极端环境的工作,使其能够在更多工业应用中使用。
  4. 即时响应能力:产品能够快速反应于瞬态电流,提高了设备的安全性和稳定性。

五、总结
PESD3V3S2UT,215 以其高峰值脉冲电流能力、广泛的工作温度范围以及出色的电压抑制性能,很好地满足了当前电子产品对瞬态电压保护的需求。无论是在家用电器、工业设备还是消费电子产品中,都是一种理想的保护组件。当今快速发展的电子市场对元器件的性能和可靠性提出了更高的要求,而PESD3V3S2UT,215无疑是满足这些要求的重要选择。