IRFU220NPBF

产品概述：IRFU220NPBF

概述

IRFU220NPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为需要高效率、高功率处理能力的应用而设计，具有 200V 的漏源电压（Vdss）和 5A 的连续漏极电流（Id）。该器件采用 TO-251（IPAK）封装，提供了卓越的散热性能和良好的电气特性，是许多电源管理和开关电路的理想选择。

关键特点

1. 漏源电压（Vdss）: 最高可达 200V，使其适用于高压应用场景。
2. 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时可提供 5A 的连续电流，具备良好的功率处理能力。
3. 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 最低 4V 的开启电压使其能够在标准电压下有效开关，降低了开关损耗。
4. 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 驱动下以及 2.9A 电流下，导通电阻最大为 600mΩ，保证了低能量损耗和高效的导通能力。
5. 输入电容（Ciss）: 最大输入电容为 300pF @ 25V，适合高速开关操作，能够与不同频率的驱动信号良好匹配。
6. 栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为 23nC，在10V的驱动电压下，能够实现快速的开关响应。
7. 工作温度范围: -55°C 到 175°C 的宽温度范围，确保了其在各种极端环境下的可靠运行。
8. 最大功率耗散: 可达到 43W，确保能够在高功率应用下长时间稳定工作。

应用领域

IRFU220NPBF 的设计使其非常适合于多种工业和消费类电子产品，包括：

• 电源转换器和开关电源
• DC-DC 转换器
• 器件保护电路
• 马达驱动应用
• UPS（不间断电源）系统
• 家电控制电路

性能优势

IRFU220NPBF 采用先进的金属氧化物半导体技术，提供了低导通电阻和高开关速度，减少了由于导通损耗与开关损耗所造成的能量浪费，从而实现高效率的功率转换。其高达 43W 的功率耗散能力及优越的热管理性能，确保在高负载及高温环境条件下的长期可靠性。

总结

作为 Infineon（英飞凌）推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，IRFU220NPBF 以其优秀的电气特性、宽广的工作温度范围和多样的应用场景，使其成为现代电源设计中不可或缺的元件。无论是在工业自动化设备、汽车电子还是家庭电器中，IRFU220NPBF 都能提供稳定、可靠的性能，是开发高效能电子产品的理想选择。