IRFR9N20DTRPBF

产品概述：IRFR9N20DTRPBF - N沟道MOSFET

一、产品简介

IRFR9N20DTRPBF是英飞凌公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计方案专注于高电压、高电流的应用，为现代电子电路提供优异的开关性能和热管理能力。该器件被封装在TO-252-3（D-Pak）封装中，便于表面贴装，广泛应用于电源管理、逆变器、马达驱动等高效率和高可靠性工作环境。

二、关键特性

1. 电气参数：

   • 漏源电压（Vdss）：200V，适用于高电压应用。
   • 连续漏电流（Id）：9.4A（Tc），在25°C环境下表现出色，能有效承载高电流负载。
   • 驱动电压：适用于10V的特定应用条件，能够提供最低的Rds(on)值。
   • 最大导通电阻（Rds(on)）：在5.6A，10V条件下，Rds(on)的最大值为380毫欧，确保高效率的能量传递。
   • 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为5.5V（@250µA），可提供更好的驱动兼容性。
   • 栅极电荷（Qg）：最大27nC（@10V），意味着在驱动时的损耗较小，从而提高开关效率。
   • 输入电容（Ciss）：560pF（@25V），使得器件在频率较高的应用中表现出色。

2. 热性能：

   • 功率耗散（Ptot）：最大值为86W（Tc），在多种工作条件下能有效散热，有助于延长器件的使用寿命。
   • 工作温度范围：-55°C ~ 175°C（TJ），具备出色的环境适应性，适用于极端工作环境。

3. 封装与安装：

   • 封装类型：TO-252-3（D-Pak），便利的表面贴装配置，适合自动化生产线。
   • 引线配置：2个引线加接片设计，确保紧凑布线，适用现代电路的空间限制。

三、应用领域

IRFR9N20DTRPBF广泛应用于以下领域：

• 电源供应：可用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）与DC-DC转换器中。
• 马达控制：高电流和高电压特性使它在电机驱动和控制中表现突出，适用于工业、家电和电子设备的马达控制。
• 逆变器：适用于光伏与风能逆变器等可再生能源解决方案，具有高效率和高功率密度的优势。
• 负载开关：可作为电路中的负载开关实现高效控制，确保持久稳定的开关响应。

四、总结

IRFR9N20DTRPBF是英飞凌公司为满足当今高性能电子应用需求而设计的N沟道MOSFET，其高漏电压、高连续漏电流以及优秀的功率耗散特性，确保其在多个领域中无与伦比的性能和可靠性。同时，其优雅的TO-252-3封装设计使得安装和集成变得便利，助力工程师在设计高效率产品时实现更大的灵活性与可能性。无论是在电源管理、马达控制还是逆变器应用中，IRFR9N20DTRPBF都将是您理想的选择。