描述：表面贴装型-N-通道-20V-60A（Tc）-48W（Tc）-D-Pak
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产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）8.4 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.55V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）14nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1190pF @ 10V
功率耗散（最大值）48W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装D-Pak
IRFR3704ZTRPBF 产品概述
产品简介
IRFR3704ZTRPBF是英飞凌（Infineon）公司生产的一款高性能N沟道MOSFET，采用D-Pak封装，具有出色的电气特性和热管理能力，广泛应用于开关电源、电机驱动和电力转换等领域。这款器件凭借其优异的性能参数，尤其是在高电流和高电压应用中的表现，成为许多电子设计工程师的首选。
主要规格
- 封装类型：TO-252-3 / D-Pak
- FET类型：N沟道
- 漏源极电压（Vdss）：20V
- 连续漏极电流（Id）：60A（在Tc条件下）
- 功率耗散（Pd）：48W（在Tc条件下）
- 驱动电压：4.5V（最大Rds On），10V（最小Rds On）
- 导通电阻（Rds(on)）：8.4mΩ（在15A, 10V条件下）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值2.55V（@ 250µA）
- 栅极电荷（Qg）：最大值14nC（@ 4.5V）
- 输入电容（Ciss）：最大值1190pF（@ 10V）
- 工作温度范围：-55°C 至 175°C
- 最大栅源电压（Vgs）：±20V
特性与优势
高效能导通：IRFR3704ZTRPBF具有优秀的导通电阻8.4mΩ，在高频开关操作中能够显著降低功耗和热损耗，提高了整体效率。
高温性能：该MOSFET的工作温度范围可达-55°C至175°C，使其在极端温度环境中仍然能够稳定工作，适合高温应用场景。
优良的热管理：D-Pak封装设计有助于提高散热性能，增强了器件在高功率下的稳健性，减小了因热量积聚而造成的性能衰减。
宽广的应用范围：适用于开关电源，DC-DC 转换器，电动汽车驱动，以及各类工业自动化控制系统等。
高可靠性和稳定性：基于英飞凌高标准的制造工艺，IRFR3704ZTRPBF在长期使用中表现出色的可靠性，很大程度上减少了设备的故障率。
应用领域
IRFR3704ZTRPBF的应用场景非常广泛，其主要应用领域包括：
- 电力电子：在高频开关电源拓扑中，如反激式和全桥变换器中，IRFR3704ZTRPBF能够提供低损耗的开关性能。
- 电动汽车（EV）：在电动汽车的动力传输和充电系统中，MOSFET可以帮助优化能量利用效率，提升车辆的续航能力。
- 工业设备：在各种电动机控制和驱动电路中，IRFR3704ZTRPBF的高电流处理能力使其成为理想的选择。
- 消费电子：可用于各种消费电子产品的电源管理和电池管理系统，提供稳健的功率开关解决方案。
结论
IRFR3704ZTRPBF以其卓越的电气性能、广泛的工作温度范围和适应各种严苛环境的能力，成为现代电子设备中不可或缺的组件之一。无论是在高效开关电源、动力驱动还是工业控制中的应用，该MOSFET都能够提供高可靠性和出色的性能。为了确保设计的高效性和稳定性，工程师们可以放心采用IRFR3704ZTRPBF作为其电路中的关键开关元件。