型号:

IRF9630PBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-220AB
批次:24+
包装:管装
重量:2.64g
其他:
IRF9630PBF 产品实物图片
IRF9630PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 74W 200V 6.5A 1个P沟道 TO-220AB
库存数量
库存:
7864
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.14
1000+
1.98
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)800mΩ@10V,3.9A
功率(Pd)74W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)700pF
反向传输电容(Crss@Vds)40pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

IRF9630PBF 产品概述

IRF9630PBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应管),其设计旨在满足高电压和高电流应用的需求。该器件由知名的电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产,广泛应用于电源管理、逆变器、马达驱动、以及其他高能效电路中。该 MOSFET 不仅提供了优异的电气性能,还在热管理和安装灵活性上占据了优势。

主要特点

  1. 高电压和电流承载能力: IRF9630PBF 的漏源电压(Vdss)可达 200V,适合于高压应用。其最大连续漏极电流(Id)为 6.5A(在使用条件为 Tc,即环境温度为 25°C)。这种特性使该 MOSFET 能够承受较高的功率,并保持优良的稳定性。

  2. 低导通电阻: 该器件在 10V 的驱动电压下,最大导通电阻(Rds On)为 800 毫欧(在 Id 为 3.9A 时),使其在开启状态下能够有效降低导通损耗,从而实现更高的能效。低导通电阻有助于降低系统发热,增加工作的可靠性。

  3. 宽工作温度范围: IRF9630PBF 的工作温度范围从 -55°C 至 150°C,适应各种苛刻的环境条件,适合于工业、汽车及军事等多种应用场景。此特性使得该器件能够在高温或寒冷环境中依旧稳定工作,不会影响其性能。

  4. 可靠的门极结构: 该器件的栅极阈值电压(Vgs(th))最大为 4V @ 250µA,确保了在较低的栅极驱动电压下也能够可靠开启,从而降低驱动电路的复杂度和需求。另外,最大栅极电压为 ±20V,确保了操作安全性,避免了因过压而导致的损坏。

  5. 高频响应特性: 在输入电容(Ciss)为 700pF @ 25V 的条件下,IRF9630PBF 具有良好的高频操作能力,可以在高频开关应用中使用。且栅极电荷(Qg)达 29nC @ 10V,这使得在高频切换操作时更加高效。

  6. 封装与安装类型: IRF9630PBF 采用 TO-220AB 封装,这种封装不仅有助于散热,且便于通孔安装,便于在各种PCB设计中使用。这种封装形式可以有效地完成热管理,并让用户更容易集成到系统设计之中。

应用领域

IRF9630PBF 在众多领域有广泛应用:

  • 电源转换:在开关电源中,作为主开关器件,可以实现高效的电流控制。
  • 马达驱动:在 DC 和步进马达控制系统中,用于实现速度和转矩的精准调节。
  • 逆变器:在太阳能逆变器和 UPS 系统中,用作开关器件,提高电力转换效率。
  • 电池管理系统:在电池充电器中,用于有效控制充电和放电过程,最大限度提高电池的使用效率。

总结

总之,IRF9630PBF 是一款高效能的 P 通道 MOSFET,凭借其高电压、大电流承载能力和优秀的导通特性,为各种电子应用提供了稳定和高效的解决方案。无论是用于电源管理、马达控制还是一般的开关电路,IRF9630PBF 都具备了理想的性能特征,是电子设计师高度信赖的选择。