型号:

IRF6216TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SO-8
批次:-
包装:编带
重量:0.197g
其他:
IRF6216TRPBF 产品实物图片
IRF6216TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 150V 2.2A 1个P沟道 SOP-8
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最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.01
100+
3.34
1000+
3.1
2000+
2.95
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)2.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)240mΩ@10V,1.3A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA

IRF6216TRPBF 产品概述

基本信息

IRF6216TRPBF 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET,专为高电压和中等电流应用而设计。该器件表面贴装封装采用 SO-8 形式,广泛应用于电机控制、开关电源、照明和其他要求高效开关功率的电子设备中。IRF6216TRPBF 提供了良好的电流承载能力和出色的开关性能,成为功率应用中的优秀选择。

关键规格

  1. 漏源电压(Vds): 150V

    • IRF6216TRPBF 可以在高达 150V 的漏源电压下工作,适合多种高电压应用,确保电路的稳定性和安全性。
  2. 连续漏极电流(Id): 2.2A(在 25°C 条件下)

    • 该器件在 25°C 的环境温度下能够承载 2.2A 的连续电流,这使得其能够满足大多数中等电流要求的应用场景。
  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 5V @ 250µA

    • 具有相对较低的阈值电压,使其在较低的控制电压下便可以实现导通,简化了驱动电路设计。
  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 240mΩ @ 1.3A, 10V

    • 在 1.3A 的电流和 10V 的驱动电压下,该 MOSFET 显示出240毫欧的低导通电阻,有助于提升电源效率并降低功耗。
  5. 最大功率耗散: 2.5W(在 Ta=25°C 时)

    • IRF6216TRPBF 的最大功率耗散为 2.5W,使其在设计时能够适应一定的热管理需求,既可以在安全范围内工作,同时也允许一定的散热需求。
  6. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

    • 提供广泛的工作温度范围,确保在苛刻环境条件下的稳定性和可靠性。

应用场景

  • 电机控制: 可用于直流电机的开关控制,提供高效的电能转换和控制能力。
  • 开关电源: 在开关电源电路中,可以高效地控制能量传输,实现更高的系统效率。
  • LED 驱动: 在 LED 驱动电路中,为提供稳定的电流输出,增强照明系统的综合性能。
  • 汽车电子: 作为高压开关器件,可应用于汽车电子控制模块中,满足对高可靠性和耐久性的要求。

性能优势

IRF6216TRPBF 在多个方面展示出优越的性能,其低导通电阻和高漏源电压特性使其成为一款理想的功率控制器件。此外,其小型化的 SO-8 封装设计更适合现代紧凑型电子设备,节省了 PCB 空间,有助于实现高效的热管理。通过优化门电荷(Qg)的参数,该器件能够有效地降低驱动功耗,提高整体电源效率。

结论

IRF6216TRPBF 是一款专业级的 P 沟道 MOSFET,凭借其可靠的电气特性、热稳定性和多样的应用场景,成为市场上备受欢迎的选择。无论是在工业控制、消费电子还是汽车领域,它都能够满足用户对功率效率和可靠性的要求,为现代电子设计提供了强大的支持。通过选择 IRF6216TRPBF,设计师能够更好地架构出高效、稳定的电源管理解决方案。