IRF6216TRPBF 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET,专为高电压和中等电流应用而设计。该器件表面贴装封装采用 SO-8 形式,广泛应用于电机控制、开关电源、照明和其他要求高效开关功率的电子设备中。IRF6216TRPBF 提供了良好的电流承载能力和出色的开关性能,成为功率应用中的优秀选择。
漏源电压(Vds): 150V
连续漏极电流(Id): 2.2A(在 25°C 条件下)
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 5V @ 250µA
漏源导通电阻(Rds(on)): 240mΩ @ 1.3A, 10V
最大功率耗散: 2.5W(在 Ta=25°C 时)
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
IRF6216TRPBF 在多个方面展示出优越的性能,其低导通电阻和高漏源电压特性使其成为一款理想的功率控制器件。此外,其小型化的 SO-8 封装设计更适合现代紧凑型电子设备,节省了 PCB 空间,有助于实现高效的热管理。通过优化门电荷(Qg)的参数,该器件能够有效地降低驱动功耗,提高整体电源效率。
IRF6216TRPBF 是一款专业级的 P 沟道 MOSFET,凭借其可靠的电气特性、热稳定性和多样的应用场景,成为市场上备受欢迎的选择。无论是在工业控制、消费电子还是汽车领域,它都能够满足用户对功率效率和可靠性的要求,为现代电子设计提供了强大的支持。通过选择 IRF6216TRPBF,设计师能够更好地架构出高效、稳定的电源管理解决方案。