型号:

IPA60R280P7SXKSA1

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-220-3FP
批次:2年内
包装:管装
重量:-
其他:
IPA60R280P7SXKSA1 产品实物图片
IPA60R280P7SXKSA1 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 24W 600V 12A 1个N沟道 TO-220FP-3
库存数量
库存:
1000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.05
50+
3.23
500+
2.99
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)280mΩ@10V,3.8A
功率(Pd)24W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@0.19mA
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)761pF@400V
工作温度-40℃~+150℃

产品概述:IPA60R280P7SXKSA1

一、产品简介

IPA60R280P7SXKSA1是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。本产品特别设计用于高压应用,其漏源电压(V_DSS)可达600V,最大连续漏极电流(I_D)为12A,在高温环境下依然保持良好的性能,适合多种电力电子应用。

二、主要参数

  1. FET 类型: N通道 MOSFET,提供优秀的开关性能和低导通损耗。
  2. 漏源电压(V_DSS): 600V,适用于高压应用场合,如电源转换器、逆变器等。
  3. 最大连续漏极电流(I_D): 12A(T_C=25°C),满足多种负载情况。
  4. 导通电阻(R_ds(on)): 在10V栅源电压下,3.8A时最大导通电阻为280毫欧。这一低阻抗特性有效降低了功耗,提升了设备的整体效率。
  5. 栅极阈值电压(V_gs(th)): 最大值为4V @ 190µA,确保控制电子设备时的快速响应。
  6. 栅极电荷(Q_g): 最大值为18nC @ 10V,便于精密控制,适合高频应用。
  7. 输入电容(C_iss): 在400V时为761pF,提供较好的开关性能。
  8. 工作温度范围: -40°C至150°C,适应多种极端环境条件,确保设备在高温和低温下的可靠性。
  9. 封装类型: TO-220-3FP,配置通孔安装,便于散热设计和PCB布局。

三、应用场景

IPA60R280P7SXKSA1适合广泛的电力电子应用,包括但不限于:

  • 电源转换器: 用于开关电源、直流-直流转换器和不间断电源(UPS)系统,能够有效降低能量损耗。
  • 逆变器: 在太阳能逆变器和电动汽车逆变器中发挥关键作用,提供高效率和高可靠性。
  • 电动机驱动: 为各种电动机提供高效驱动方案,帮助实现能量的最大化利用。
  • 高频开关电源: 由于其低开关损耗和快速开关特性,适合用于高频应用中,有助于提升系统的整体效率。

四、产品优势

  1. 高效能: IPA60R280P7SXKSA1以其超低导通电阻和出色的开关性能,在实现高效能的同时有效降低了能耗。
  2. 高可靠性: 宽广的工作温度范围和可靠的热管理能力,使得该MOSFET在严酷环境下依然能够稳定运行。
  3. 易于集成: TO-220封装设计便于热管理,简化了与散热器的结合过程,方便PCB设计与布局,提高了整体系统的稳定性。
  4. 广泛适用性: 其高电压和电流规格使得IPA60R280P7SXKSA1能够满足多种应用需求,增强了产品的通用性。

五、总结

总的来说,IPA60R280P7SXKSA1 MOSFET是一款高性能、适应性强的N沟道场效应管,便于在电源管理、控制系统以及电动机驱动等多个领域中应用。其优越的电气参数和可靠的工作性能,使它成为高压高频以及高温应用中的理想选择,是众多设计工程师和产品开发者的最佳选择。