描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 20V 2.9A 1个P沟道 DFN3020B-8-EP
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)95mΩ@4.5V,2.8A
功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)632pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)54pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
DMS2120LFWB-7 产品概述
产品简介
DMS2120LFWB-7 是一种高性能的 P 沟道 MOSFET，专为低功耗和高效率的电子电路设计，广泛应用于开关电源、负载开关以及电池管理系统等领域。该器件由 DIODES（美台）制造，封装为 8-DFN3020B 型，具有优越的电气性能和兼容性，能够满足多种工业和消费电子产品的需求。
主要参数
漏源电压 (Vdss): 20V
- 此参数说明该 MOSFET 可以承受最大 20V 的漏源电压，使其适合用于较低电压工作的电路。
连续漏极电流 (Id): 2.9A（在 25°C 条件下）
- 该器件在额定条件下能够提供 2.9A 的连续漏极电流，适用于对电流有一定要求的场合。
栅源极阈值电压: 1.3V @ 250µA
- 栅源极阈值电压表示器件从关闭状态转为导通所需的最小栅源电压，1.3V 的数据有效地支持低电压驱动电路。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 95mΩ @ 2.8A, 4.5V
- 较低的导通电阻确保 MOSFET 在工作时发热量小，提高了工作效率，并降低了功耗。
最大功率耗散: 1.5W（在 Ta=25°C 时）
- 最大功率耗散能力使该器件能够在合理的散热条件下稳定工作，适合高功耗应用。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 广泛的工作温度范围使得 DMS2120LFWB-7 可以在极端环境下运行，特别适合航空航天、汽车电子等对温度要求较高的应用。
输入电容 (Ciss): 632pF @ 10V
- 较小的输入电容能够提高开关频率，适合高速开关应用。
FET 功能: 肖特基二极管（隔离式）
- 此功能允许设备在电源切换时实现更快的响应，减少系统延迟，提高整体性能。
应用场景
DMS2120LFWB-7 的设计使其非常适合以下场合：
- 开关电源: 在内部电流管理中起到开关作用，能够有效控制功率输出。
- 电池管理: 用于电池的充放电过程中的开关控制，确保高效能和安全使用。
- 负载开关: 由于其低 Rds(on) 和高工作温度能力，它可以很好地实现负载的开关控制，提升效能。
- LED 驱动: 在 LED 照明设备中用于强劲的电流传输，改善亮度和耗电。
封装与安装
该 MOSFET 的封装为表面贴装类型（W-DFN3020-8），尺寸为 3mm x 2mm，便于在现代紧凑型电子设备中进行安装。封装设计有助于提高散热效率，确保器件稳定性和寿命。
总结
DMS2120LFWB-7 是一款整合了多种优势参数的 P 沟道 MOSFET，适用于各种电子产品，尤其是在对功率效率和低电压操控有严格要求的应用场合。凭借其优越的性能和可靠性，该器件成为工程师设计现代电子设备时的理想选择。生产商 DIODES（美台）的声誉和该器件的高品质，使得 DMS2120LFWB-7 在市场上具有良好的竞争力。