型号:

DMP3056LDM-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT26
批次:22+
包装:编带
重量:0.32g
其他:
DMP3056LDM-7 产品实物图片
DMP3056LDM-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 30V 4.3A 1个P沟道 SOT-26
库存数量
库存:
1376
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.332
3000+
0.311
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@10V,4.3A
功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10.1nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)948pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)100pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

DMP3056LDM-7 产品概述

1. 引言

DMP3056LDM-7 是由美台(DIODES)公司生产的一款 P 沟道 MOSFET,采用 SOT-26 封装。这款场效应管专为需要高效能和小尺寸的电子电路设计而打造,广泛应用于电源管理、开关电路和驱动电路等场合。其优异的电子参数和工作特性使其在各种应用中展现出色的性能。

2. 基础参数

  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 连续漏极电流(Id)(在25°C时):4.3A
  • 栅源阈值电压:2.1V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):45mΩ @ 5A, 10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  • 封装类型:SOT-26

3. 关键特性

DMP3056LDM-7 具备多个关键特性,使其在高效电源开关和负载驱动应用中表现优异。其漏源电压为 30V,能够支持多种电源轨和负载电流。高达 4.3A 的连续漏极电流,使其适用于大多数常见电子负载。

  • 低导通电阻:45mΩ 的导通电阻 (Rds(on)) 在 5A 和 10V 驱动条件下,非常适合高效能电源设计,显著降低功耗和发热。
  • 阈值电压与驱动电压:栅源阈值电压(Vgs(th))为 2.1V,表明该MOSFET能在较低的栅电压下迅速开启,从而提升开关速度。这一特性在高频应用中尤为重要。
  • 输入电容:948pF @ 25V 的输入电容,适合高频操作,提供了较低的开关损耗。

4. 适用领域

DMP3056LDM-7 可广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理:适用于高效 DC-DC 转换器和电源分配模块。
  2. 开关电路:用于负载的开关控制,如继电器驱动、灯光控制和电机驱动。
  3. 逆变器与直流电机控制:在逆变器和各类电机控制模块中,通过其低 Rds(on) 特性,提供稳定的响应。
  4. 消费电子产品:适合于各类便携式设备和消费电子中,提升其能效和可靠性。

5. 安装与使用

DMP3056LDM-7 采用 SOT-26 表面贴装型封装,具有较小的占板面积,适合高密度安装。其可靠的工作特性与宽广的温度范围使其能够很好地适应各种工作条件。在设计电路时,需注意栅源电压的选择,以确保 MOSFET 的最佳工作状态和低功耗表现。同时,合理设计散热方案可以确保其在高负载条件下仍然安全稳定工作。

6. 结论

DMP3056LDM-7 是一款高性能 P 沟道 MOSFET,具备了低导通电阻、宽广的工作电压和良好的热管理特性,能够满足众多现代电子设备的需求。其广泛的应用潜力使其成为电源管理与电机控制中的理想选择,特别是在需要高效能和小型化的场合。通过合理的设计与应用,可以充分发挥 DMP3056LDM-7 的优越性能,为电路设计带来更多的可能性与灵活性。