描述：场效应管(MOSFET) 1.08W 20V 2.7A 1个P沟道 SOT-23
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@4.5V,2.7A
功率(Pd)1.08W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.25V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.3nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)250pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)58pF
工作温度-55℃~+150℃
DMP2215L-7 产品概述
一、产品介绍
DMP2215L-7是一款高性能的P沟道MOSFET，专为多种应用而设计，尤其适用于需要高效能和可靠性的电源管理解决方案。这款元器件的关键特性使其在电子设备中拥有出色的集成度和性能，适合用于开关电源、DC-DC转换器以及其它电源管理和信号传输功能。
二、基本参数
- 漏源电压（Vdss）： 20V
- 连续漏极电流（Id）： 2.7A（在25°C环境下）
- 导通电阻（Rds(On)）： 100mΩ（在2.7A，4.5V时）
- 栅极源极阈值电压（Vgs(th)）： 1.25V（@ 250µA）
- 最大功率耗散（Pd）： 1.08W
- 工作温度范围： -55°C ~ 150°C
- 封装类型： SOT-23-3
三、技术特点
高导电性：DMP2215L-7的低导通电阻使其在工作时能有效减少功耗，提升系统的整体效率。尤其在电源转化过程中，这一特性显得尤为重要，能够降低热量产生，延长元器件及设备的使用寿命。
广泛的工作温度范围：该MOSFET支持从-55°C到150°C的工作温度，使其能够在严苛环境下稳定运行，非常适合于高温和低温的工业和汽车应用。
良好的栅极控制特性：DMP2215L-7的栅源电压阈值较低，确保其良好的驱动性能，在多种电压条件下仍能保持稳定的工作状态。
小巧封装：该元件采用SOT-23-3表面贴装封装，为设计师提供更大的空间灵活性。小型封装使得在受限空间的电路板设计中表现优异，同时也降低了整体系统的体积。
低输入电容：DMP2215L-7的输入电容（Ciss）在10V时为250pF，不仅提高了响应速度，同时也降低了驱动器的负担，适用于高频开关应用。
四、应用领域
DMP2215L-7广泛应用于以下领域：
- 电源管理：高效的开关电源转换和调节。
- 控制电路：电机驱动和负载控制中提供精准的电流控制。
- 消费电子：智能手机、平板电脑及其它便携设备中的电源管理电路。
- 汽车电子：在汽车中的安全性及性能要求高的应用，如动力传动系统和车载电源管理。
五、总结
作为一款DMP2215L-7 P沟道MOSFET，其设计旨在满足现代电子设备对高效能和可靠性的要求。其优异的电气特性和宽广的工作温度范围，使其成为值得信赖的选择，能够广泛应用于多种场合。无论是快速切换应用，还是需要低功耗的场合，DMP2215L-7都能提供出色的表现和稳定的性能，助力电子设计的创新与高效能。
总的来说，DMP2215L-7为设计师提供了强大的电源管理解决方案，具备广泛的应用潜力，能够轻松应对未来发展的需求。