DMP1555UFA-7B

DMP1555UFA-7B 产品概述

概述

DMP1555UFA-7B 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，具有出色的电气特性和稳定的工作性能，适用于各种电子应用，如电源管理、开关电路和信号调节等。这款 MOSFET 由 DIODES（美台）公司制造，采用先进的封装技术，适应现代低功耗和高密度电路设计的需求。其封装类型为表面贴装型（X2-DFN0806-3），尺寸为 0.6mm x 0.8mm，适合紧凑空间的应用场景。

关键特性

1. 电气特性

   • 漏源电压 (Vdss): DMP1555UFA-7B 具备高达 12V 的漏源电压，能够适应大多数低压电源电路。
   • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，该器件可以提供高达 200mA 的持续漏极电流，满足负载驱动的需求。
   • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该 MOSFET 拥有最低 1V 的栅源阈值电压，在较低的栅压下便能开启，提升了在低电压应用中的有效性。
   • 导通电阻 (Rds(on)): 在 200mA 电流和 4.5V 栅电压下，导通电阻最大值为 800mΩ，降低了通路中的功率损耗和热量生成。

2. 功率与散热

   • 最大功率耗散: DMP1555UFA-7B 的最大功率耗散为 360mW，适合中小功率应用。该能力有利于器件在长时间运行下的稳定性和安全性。
   • 工作温度范围: 器件的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +150°C 使其能够在苛刻环境下可靠工作，广泛适用在汽车电子、工业控制和消费电子等领域。

3. 电容特性

   • 栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 栅电压下，栅极电荷的最大值为 0.84nC ，使得最终电路响应快速，适配高频工作环境。
   • 输入电容 (Ciss): 在 10V 的漏源电压下，输入电容最大值为 55.4pF，确保了高效的驱动响应和最低的信号延迟。

应用领域

DMP1555UFA-7B MOSFET 适合多种应用场景，例如：

• 电源管理: 可用于电源切换、DC-DC 转换器、负载开关等领域。
• 步进电机控制: 由于其快速开关特性，满足电机控制系统的高效能需求。
• 汽车电子: 此器件能够在高温和严苛环境下稳定工作，适合包括电源管理，信号转换等多种汽车电子设备。
• 消费电子: 如便携式设备的电池管理、智能手机和计算机的电源调节等。

结论

DMP1555UFA-7B以其卓越的性能、宽广的工作温度范围和小型封装而受到了设计工程师的青睐。无论是在电源管理、信号调节还是效率改善中，这款 P 沟道 MOSFET 都可以发挥重要作用，其低功耗和高稳定性特性使其成为多种应用的理想选择。