型号:

DMN3053L-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:22+
包装:编带
重量:0.028g
其他:
DMN3053L-7 产品实物图片
DMN3053L-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 760mW 30V 4A 1个N沟道 SOT-23
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.56
200+
0.362
1500+
0.314
3000+
0.278
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@10V,4.0A
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.3nC
输入电容(Ciss@Vds)676pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)42pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

DMN3053L-7 产品概述

产品简介 DMN3053L-7是一款高性能N沟道MOSFET,具有耐用性和高效能,以适应各种电子电路设计需求。该元器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合表面贴装(SMD)技术,使其在紧凑型电子应用中更具灵活性。其主要特点包括漏源电压(Vdss)最高可达到30V、连续漏极电流(Id)在25°C时可达4A,此外,典型的漏源导通电阻为45毫欧,确保在高电流应用中有较低的功率损耗。

电气特性

  1. 漏源电压(Vdss): 在30V的工作条件下,此MOSFET能够有效地处理漏源电压,适用于多种中低压的开关及放大电路。

  2. 连续漏极电流(Id): 在25°C环境下,DMN3053L-7可以承载高达4A的电流,满足高负载需求的电路设计。

  3. 导通电阻(Rds(on)): 在4A和10V的条件下,导通电阻为45毫欧,确保在开启状态下具有极低的功耗和发热,提高了电源效率并延长了设备寿命。

  4. 栅源级阈值电压(Vgs(th)): 为1.4V @ 250µA相对较低的阈值电压意味着该MOSFET在较低的栅极电压下即可开启,有利于低电压驱动应用。

  5. 栅极电荷(Qg): 在10V时,栅极电荷为17.2nC,这对于高频开关应用非常重要,有助于减少开关损耗。

环境与热性能 DMN3053L-7具备广泛的工作温度范围,从-55°C至150°C,适合在严苛环境下使用。其最大功率耗散为760mW(在25°C时),使得在设计中可以更灵活地控制散热,确保MOSFET的稳定性与可靠性。

封装与安装 该产品采用SOT-23封装,尺寸小,便于在现代电子产品中进行高度集成。SOT-23封装的优点包括良好的热导性及电气性能,适用于手机、平板电脑及其他便携式设备等对空间要求严格的应用。

应用场景 DMN3053L-7广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 在DC-DC转换器中作为开关元件,提高转化效率。
  • 电机驱动: 用于控制直流电机的启停及调速,尤其是在小型电动工具和家电中具有广泛应用。
  • LED驱动: 在LED照明系统中,作为调光和驱动电路的重要组成部分。
  • 便携式设备: 由于其小巧的体积和高效的性能,非常适合在智能手机、平板等设备中使用。

品牌与供应 DMN3053L-7由美台(DIODES)品牌出品,确保元器件的高品质与可靠性。作为市场上广泛认可的品牌,DIODES为用户提供持续的技术支持和后续服务。

总结 DMN3053L-7是一款低电压、高灵活性的N沟道MOSFET,凭借其小巧的SOT-23封装和出色的电气性能,成为现代电子应用中理想的选择。无论是开关电源、电机驱动还是LED照明,DMN3053L-7都展现出卓越的性能,满足用户对效率和可靠性的高要求。