型号:

DMG6968UQ-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:24+
包装:编带
重量:0.017g
其他:
DMG6968UQ-7 产品实物图片
DMG6968UQ-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 20V 6.5A 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存:
1780
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.661
3000+
0.615
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@4.5V,6.5A
功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA

DMG6968UQ-7 产品概述

一、产品介绍

DMG6968UQ-7是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,专为电子设计工程师打造,以满足现代电源管理和开关应用的需求。此元器件由美台半导体(DIODES)制造,具有卓越的性能参数和广泛的应用场景。它采用SOT-23封装,尺寸小巧,便于在有限的空间内实现高效散热和电流管理。

二、关键参数

  1. FET 类型与技术

    • 类型:N通道
    • 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  2. 电气特性

    • 漏源电压(Vdss):20V,适合作为中低压电源管理应用。
    • 25°C 时的连续漏极电流(Id):6.5A,确保在大电流环境下的稳定工作。
    • 驱动电压(Vgs):具备1.8V(最小 Rds On)和4.5V(最大 Rds On)的驱动适应性,适用于多种控制电压条件下的开关操作。
  3. 导通电阻与门阈值电压

    • 在6.5A,4.5V条件下,最大导通电阻为25毫欧,提供低损耗的通断效率。
    • Vgs(th)(门源阈值电压)最大值为900mV @ 250µA,既确保了良好的开关特性,也为低电压应用提供了解决方案。
  4. 输入电容与门极电荷

    • 输入电容Ciss最大值为151pF @ 10V,适合高速开关应用。
    • 栅极电荷Qg最大值为8.5nC @ 4.5V,降低了驱动电路的功耗,使系统更为高效。
  5. 功率耗散和工作温度

    • 最大功率耗散为1.3W(Ta),能够在较高温度下确保安全工作。
    • 工作温度范围广泛:-55°C至150°C(TJ),使其适应多种工况,尤其是近乎极端环境下的应用。
  6. 封装与安装类型

    • 安装类型:表面贴装型,优化了空间利用率和散热性能。
    • 封装/外壳类型:SOT-23,兼容性强,广泛应用于各种电子板卡设计。

三、应用领域

DMG6968UQ-7由于其特出特性,使其在多个领域都有广泛的应用,包括但不限于:

  • 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关等。
  • 电动机控制:通过控制高电流的开关,以实现对电动机的有效管理。
  • 信号开关:在音频或数据通信领域中作为开关器件。
  • LED驱动:在LED背光和照明设计中,作为驱动MOSFET用于高效能发光。

四、优势总结

  1. 高效的电流处理能力:6.5A的漏极电流能力,适应较高功率的应用。
  2. 低导通电阻:可有效减少在导通状态下的功耗,提升电源效率。
  3. 广泛的工作温度范围:能够在极端环境下稳定工作,进而增加系统可靠性。
  4. 小型封装:SOT-23封装适合现代紧凑型设计,助力小型化系统的实现。

总的来说,DMG6968UQ-7凭借其卓越的性能和可靠性,成为了现代电子设计中不可或缺的元件之一,为各类应用提供了最优的性能支持。