型号:

DMG4413LSS-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:2年内
包装:编带
重量:0.12g
其他:
DMG4413LSS-13 产品实物图片
DMG4413LSS-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.7W 30V 10.5A 1个P沟道 SO-8
库存数量
库存:
4137
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.79
2500+
1.7
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5mΩ@10V,13A
功率(Pd)1.7W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)46nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)4.965nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)711pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

DMG4413LSS-13 产品概述

产品简介 DMG4413LSS-13 是一款高性能的 P 型沟道功率 MOSFET,旨在满足广泛的电子应用需求。此器件能够在多种环境下运行,具备出色的电气参数和热性能,特别适用于低压和高电流的开关电源、电源管理、马达驱动和其他高效能的电源应用。

基本参数 DMG4413LSS-13 的漏源电压(Vdss)达到 30V,使其在低压应用中具有良好的适应性。同时,器件的连续漏极电流(Id)可达到 10.5A(在 25°C 环境下),为设计师提供了灵活性和高效的电流处理能力。在电路中,该器件的漏源导通电阻 Rds(on) 在 13A 和 10V 的条件下为 7.5mΩ,表现出极低的导通损耗。

电气特性 DMG4413LSS-13 的栅源阈值电压 Vgs(th) 为 2.1V(在 250µA 测试条件下),使其兼容多种驱动电压,提供了更广泛的控制范围。最大驱动电压可达到 ±20V,使得该器件在不同驱动条件下运作稳定。此外,在 5V 的驱动下,栅极电荷 Qg 的最大值为 46nC,这保证了快速开关能力,适合高频应用。

输入电容(Ciss)在 15V 时达到了 4965pF,提供了良好的输入响应性能和简化了相关驱动电路的设计。

功率耗散与热特性 DMG4413LSS-13 的最大功率耗散为 1.7W(在环境温度 Ta=25°C 时),使其可以在较高的功率条件下有效工作。同时,工作温度范围为 -55°C 到 150°C(TJ),旨在满足不同工业应用的严苛要求。

封装与安装 该器件采用表面贴装型(SMD)封装,规格为 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽),这使其在实际应用中更易于焊接和安装,同时也有助于缩小整体电路板的占用面积,提升设计灵活性。

应用领域 DMG4413LSS-13 可广泛应用于各类需较高性能的电子设备,包括但不限于:

  1. 电源管理设计: 由于其低导通电阻和高电流处理能力,DMG4413LSS-13 适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器与电池管理系统。
  2. 马达驱动: 可用于无刷直流电机和步进电机驱动,提供可靠的控制和低能耗。
  3. 其他高功率需求: 适合用于智能家电、工业控制、通信设备等实现高效能操作的场合。

总结 综上所述,DMG4413LSS-13 凭借其高性能的电气特性、出色的热性能以及广泛的适应场合,成为电子设计工程师理想的选择。无论是在功率转换还是电源管理方面,该 MOSFET 都能有效地提升整个电路的工作效率和可靠性。选择 DMG4413LSS-13,将为你的电子设计带来更高的灵活性和更佳的性能。