描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 4.2A 1个P沟道 SOT-23
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商品单价
梯度内地(含税)
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0.324
200+
0.209
1500+
0.182
3000+
0.16
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)52mΩ@4.5V,4.2A
功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10.2nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)808pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)77pF
工作温度-55℃~+150℃
DMG2305UX-7 产品概述
DMG2305UX-7是一款高性能的P沟道MOSFET，由知名品牌DIODES（美台）生产，广泛应用于各种电子电路中，如开关电源、负载开关、马达驱动等。这款MOSFET以其低导通电阻和高电流承载能力，成为设计师在选择功率开关元件时的重要选择。
主要技术参数
- 漏源电压（Vds）: 20V
- 连续漏极电流（Id）（25°C时）: 4.2A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 900mV @ 250μA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 52mΩ @ 4.2A, 4.5V
- 最大功率耗散: 1.4W（Ta=25°C）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-23
设计特性与优势
低导通电阻: DMG2305UX-7在4.2A和4.5V条件下，具有52mΩ的低导通电阻，使其在处理较大电流时能有效减少功率损耗，从而提高系统的能效。
良好的开关特性: 该MOSFET的门极电荷（Qg）为10.2nC，低门极电荷可以实现快速开关，从而提高电路的工作频率和响应速度，使其在高频应用中表现出色。
优良的阈值电压特性: DMG2305UX-7的栅源极阈值电压为900mV，这意味着在较低的栅驱动电压下，它能够迅速进入导通状态，使电路设计更加灵活和高效。
宽广的工作温度范围: 该器件的工作温度范围从-55°C到150°C，确保其在极端环境下仍能可靠工作，适用于汽车电子、工业控制、消费电子等多种领域。
紧凑的封装设计: SOT-23封装提供了极小的PCB占据空间，适合于要求空间通过和低重心的设计，尤其在便携式设备和高密度电路板中表现突出。
应用领域
DMG2305UX-7凭借其性能适应性，广泛应用于多种电子设备中，包括：
- 开关电源: 用于提供高效的电源转换，提高电源模块的整体效能。
- 马达驱动: 可在直流电机驱动电路中作为开关元件，控制电机的启动、停止与速度调节。
- 负载开关: 适合在便携式设备中的电源管理，以实现对不同负载的灵活控制。
- LED驱动: 可用于LED照明系统中，控制LED的通断状态。
总结
DMG2305UX-7是一款优质的P沟道MOSFET，凭借低导通电阻、高电流处理能力和良好的开关特性，使得它成为现代电子电路设计中不可或缺的组件。它的高可靠性和广泛的应用领域，使得DMG2305UX-7在众多电子产品中占据重要地位，为设计师提供了出色的设计灵活性和系统性能。无论是在汽车、工业还是消费电子，DMG2305UX-7都能够以卓越的性能满足严苛的应用需求。