型号:

DDTC143ZLP-7

品牌:DIODES(美台)
封装:X1-DFN1006-3
批次:5年内
包装:编带
重量:1g
其他:
DDTC143ZLP-7 产品实物图片
DDTC143ZLP-7 一小时发货
描述:数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 DFN-3(1x0.6)
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.363
200+
0.234
1500+
0.203
3000+
0.18
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)125@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)850mV@2mA,5V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)500mV
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@2.5mA,50mA
电阻比率10
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DDTC143ZLP-7

一、基本信息

DDTC143ZLP-7 是一款专为低功耗应用设计的 NPN 数字晶体管,由 DIODES(美台)公司生产,采用 DFN-3 (1x0.6) 封装形式,属于表面贴装型元器件。它的设计目标是满足快速开关和高效放大的要求,广泛应用于各种电子设备和电路中。

二、性能参数

  1. 集电极电流 (Ic):该晶体管的最大集电极电流为 100mA,适合在低功耗、低电流环境中工作。同时,其集电极截止电流的最大值为 500nA,这意味着该元件在关闭状态下几乎没有漏电流,进一步提高了电路的能效和稳定性。

  2. 集射极击穿电压 (Vce):最大击穿电压为 50V,使得 DDTC143ZLP-7 能够适应多种电压环境,适合用于需要承受较高瞬态电压的应用。

  3. 饱和压降 (Vce(sat)):在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 条件下,该晶体管的饱和压降最大值为 200mV @ 5mA,50mA。这一特性使得该器件在开关操作时能量损耗较低,有助于提高电路的整体效率。

  4. 频率响应:DDTC143ZLP-7 的跃迁频率为 250MHz,使得它在高频应用中表现出色,能够满足现代高速度数字电路的需求。

  5. 功率处理能力:该器件的最大功率为 250mW,适合于需要良好热管理的电路中。

  6. DC 电流增益 (hFE):该器件在集电极电流为 50mA 和电压为 5V 时的最低直流电流增益为 180。这表明在一定的驱动电流条件下,DDTC143ZLP-7 能够有效放大输入信号,使其成为理想的信号放大器。

  7. 基极和发射极电阻:基极电阻 R1 为 4.7 kΩ,发射极电阻 R2 为 47 kΩ,这些参数的选择在设计中有助于稳定晶体管操作,并提高其性能。

三、应用场景

DDTC143ZLP-7 主要应用于数字电路的开关和放大电路,适合的场景包括但不限于:

  • 低功耗放大器:由于其优良的增益特性,DDTC143ZLP-7 在信号处理电路中可用作高效的放大器。

  • 开关电路:在开关电路中,其低饱和压降和高频响特性使得该晶体管能够快速切换,有效提升控制信号的响应时间。

  • LED 驱动:在 LED 驱动与控制中,此晶体管具有出色的电流控制能力,可确保 LED 的正确亮度并延长其使用寿命。

  • 数显仪器:在计算机和数字电子设备中,使用 DDTC143ZLP-7 作为信号转换和信号调理的核心元件,能够提供高效稳定的性能。

四、总结

总的来说,DDTC143ZLP-7 作为一款 NPN 数字晶体管,提供了强大的性能与高效的功耗管理,特别适合用于占用空间有限的现代电子产品。其广泛的应用范围和稳定的工作特性,使其成为工程师在设计和开发新产品时的优选组件。无论是在消费电子、通信设备还是其他高科技领域,DDTC143ZLP-7 都将展现出其独特的价值。