描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 250V 225mA 1个P沟道 SOT-223-4
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2.11
50+
1.63
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)225mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15Ω@10V,200mA
功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.8V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)90pF@25V
产品概述：BSP225,115 MOSFET
基本信息
BSP225,115是一款高性能的P沟道MOSFET，采用了先进的金属氧化物半导体技术，具有广泛的应用场景，尤其适合高压控制和开关操作。其主要参数包括：漏源电压（Vdss）可达250V，最大连续漏极电流（Id）为225mA，这使得该MOSFET在处理高电压和中等电流负载时表现出色。
技术规格
- 漏源电压（Vdss）: 250V
- 连续漏极电流（Id） (25°C 时): 225mA
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.8V @ 1mA
- 漏源导通电阻（Rds On）: 15Ω @ 200mA, 10V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.5W
- 驱动电压（Vgs）: 最大±20V
- 输入电容（Ciss）: 90pF @ 25V
- 工作温度: 高达150°C（TJ）
- 封装形式: SOT-223
BSP225,115的高漏源电压与适中的连续漏极电流使其在电子电路设计中具备了多功能性。特别是在开关电源、直流-直流转换器和音频功率放大器等应用中表现优异。
性能特点
高耐压和低导通电阻: 其250V的漏源电压意味着能够在高压环境下工作，而15Ω的导通电阻有效降低了在开关和分配电路中能量损耗。这对于提升系统的整体效率至关重要。
低栅源阈值电压: 2.8V的阈值电压设计确保了该器件可以在低压条件下可靠地开启，这使得在低电压控制电路中能够高效工作。
小体积封装: SOT-223封装不仅节省了板上空间，还有助于提高散热表现，适合高密度电子设备的设计需求。
宽工作温度范围: 工作温度高达150°C，使得BSP225,115能够在严苛的环境下维持其性能，适合高温应用场景，比如汽车电子和工业控制。
应用领域
BSP225,115可以广泛应用于如下领域：
- 开关电源: 由于其高电压和低导通电阻，适合在高频开关电源中使用，以提高转换效率。
- 电机驱动: 适用于控制小型电机的开关，具有合适的功率损耗和温升特性。
- LED驱动电路: 通过MOSFET的开关特性，可实现高效的LED调光和控制。
- 音频放大器: 用于音频放大器的输出级，能够处理较大的电流和压降，提供高质量的音频信号。
总结
BSP225,115是一款功能强大且可靠的P沟道MOSFET，其250V的耐压和225mA的连续漏极电流为电子产品提供了强大的设计灵活性。尤其适合用于需要高频开关操作和高效率的应用场合。独特的规格和性能使它在现代电子设备中占有重要地位，是理想的开关元件选择之一。通过使用BSP225,115，设计者可以显著提高其产品的性能和可靠性，满足日益增长的市场需求。