BAS32L,115是一款由Nexperia(安世)出品的高性能开关二极管,适用于多种电子应用。该器件采用表面贴装型设计,封装为LLDS(MiniMELF),小巧而功能强大,能够有效应对高频工作环境。其独特的参数和性能使其适用于多种领域,如消费电子、通信、汽车电子和工业应用。
反向恢复时间(trr): BAS32L,115的反向恢复时间为4纳秒,适合用于高频开关电路,能够有效减少开关损耗,提高电路的工作效率。这一快速响应特性使得它在快速开关或脉冲电流应用中表现突出,尤其对于要求高速度和低延迟的电路设计至关重要。
直流反向耐压(Vr): 该器件的直流反向耐压最大可达75V,足以满足大部分电子电路中的典型要求。这使得BAS32L,115在电压承受能力上能够提供更高的可靠性,确保在各种工作环境中可靠运行,降低由于电压波动造成的损坏风险。
平均整流电流(Io): BAS32L,115的平均整流电流为200mA,适合于多种直流电源线路。此值能够在大多数应用场景中保持良好的发热性能与稳态运行,是其应用的又一重要参数。
正向压降(Vf): 在100mA的工作条件下,该器件的正向压降为1V。这使得其在整流应用中具有较低的功率损耗,从而提高整流电路的整体效率。此外,较低的正向压降也意味着更少的热量产生,延长了设备的使用寿命。
反向泄漏电流: 在最大反向电压75V下,该器件的反向泄漏电流为5µA,显示出在高电压下良好的耐久性和稳定性。这一点尤其对于需要长时间稳定工作的线路至关重要。
电容特性: 在0V及1MHz频率条件下,BAS32L,115的电容约为2pF,这一低电容特性使其在高频应用中表现良好,能够保持信号的完整性。
工作温度: BAS32L,115可在高达200°C的结温下工作,表明它能够承受极端的环境条件,适合集成在高温设备中。这种耐高温的特性使其适用于汽车电子或其他严苛的工业应用环境。
适用封装: 所采用的DO-213AC封装类型使得该元件便于在自动化制造过程中进行组装,同时保证了较小的电路板占用面积,能够更灵活地应用于各种设计中。
BAS32L,115以其卓越的性能参数,广泛应用于:
综上所述,BAS32L,115开关二极管凭借其优异的电气特性、可靠的工作性能以及广泛的应用范围,成为各类电子设计的理想选择。无论是在普通的消费电子产品还是高要求的工业自动化系统中,BAS32L,115均能够提供稳定的性能支持,为设计工程师节省时间与成本,促进产品的迅速上市!