型号:

BAS32L,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:LLDS;MiniMelf
批次:2年内
包装:编带
重量:0.074g
其他:
BAS32L,115 产品实物图片
BAS32L,115 一小时发货
描述:开关二极管 独立式 1V@100mA 75V 200mA MiniMELF
库存数量
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最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0611
2500+
0.0478
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1V@100mA
直流反向耐压(Vr)75V
整流电流200mA
反向电流(Ir)5uA@75V
反向恢复时间(trr)4ns

产品概述:BAS32L,115

BAS32L,115是一款由Nexperia(安世)出品的高性能开关二极管,适用于多种电子应用。该器件采用表面贴装型设计,封装为LLDS(MiniMELF),小巧而功能强大,能够有效应对高频工作环境。其独特的参数和性能使其适用于多种领域,如消费电子、通信、汽车电子和工业应用。

主要特性

  1. 反向恢复时间(trr): BAS32L,115的反向恢复时间为4纳秒,适合用于高频开关电路,能够有效减少开关损耗,提高电路的工作效率。这一快速响应特性使得它在快速开关或脉冲电流应用中表现突出,尤其对于要求高速度和低延迟的电路设计至关重要。

  2. 直流反向耐压(Vr): 该器件的直流反向耐压最大可达75V,足以满足大部分电子电路中的典型要求。这使得BAS32L,115在电压承受能力上能够提供更高的可靠性,确保在各种工作环境中可靠运行,降低由于电压波动造成的损坏风险。

  3. 平均整流电流(Io): BAS32L,115的平均整流电流为200mA,适合于多种直流电源线路。此值能够在大多数应用场景中保持良好的发热性能与稳态运行,是其应用的又一重要参数。

  4. 正向压降(Vf): 在100mA的工作条件下,该器件的正向压降为1V。这使得其在整流应用中具有较低的功率损耗,从而提高整流电路的整体效率。此外,较低的正向压降也意味着更少的热量产生,延长了设备的使用寿命。

  5. 反向泄漏电流: 在最大反向电压75V下,该器件的反向泄漏电流为5µA,显示出在高电压下良好的耐久性和稳定性。这一点尤其对于需要长时间稳定工作的线路至关重要。

  6. 电容特性: 在0V及1MHz频率条件下,BAS32L,115的电容约为2pF,这一低电容特性使其在高频应用中表现良好,能够保持信号的完整性。

  7. 工作温度: BAS32L,115可在高达200°C的结温下工作,表明它能够承受极端的环境条件,适合集成在高温设备中。这种耐高温的特性使其适用于汽车电子或其他严苛的工业应用环境。

  8. 适用封装: 所采用的DO-213AC封装类型使得该元件便于在自动化制造过程中进行组装,同时保证了较小的电路板占用面积,能够更灵活地应用于各种设计中。

应用范围

BAS32L,115以其卓越的性能参数,广泛应用于:

  • 开关电源:在DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源设计中,作为整流二极管应用。
  • 高频开关电路:在信号处理、 高频通信及射频应用中有效用作开关元件。
  • 电气保护:在电路中作为反向保护二极管,防止因误操作或短路引起的损坏。
  • 低频和高频信号整形:在模拟和数字电路中实现信号的整形和调制。

总结

综上所述,BAS32L,115开关二极管凭借其优异的电气特性、可靠的工作性能以及广泛的应用范围,成为各类电子设计的理想选择。无论是在普通的消费电子产品还是高要求的工业自动化系统中,BAS32L,115均能够提供稳定的性能支持,为设计工程师节省时间与成本,促进产品的迅速上市!