ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA 产品概述

概述

ZXMN10A25GTA 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有众多优越的电气特性，尤其适用于各种中低功率开关应用。随着电子技术的迅猛发展，MOSFET 的应用越来越广泛，包括在电源管理、焊接设备和自动化设备等领域。这款器件在设计上为工程师提供了可靠的解决方案，以实现高效、准确和可靠的功率转换。

关键参数

ZXMN10A25GTA 的一些基本参数如下：

• 漏源电压 (Vdss): 100V，表示器件可以承受的最大漏源电压。适合用于要求较高电压耐受的应用场景。
• 连续漏极电流 (Id): 2.9A（在 25°C 环境下测得），适合处理中等负载的 motor 驱动和开关应用。
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA，低阈值电压设计简化了驱动电路的复杂性，降低了整体功耗。
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 125mΩ @ 2.9A, 10V，具有较低的开通电阻，确保了在高电流条件下的低损耗，提升了效率。
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，为其在不同环境条件下的可靠性提供了保证。

封装与安装

ZXMN10A25GTA 采用 SOT-223 封装，这种封装形式适合表面贴装，使其更便于在现代电子设备中进行集成。SOT-223 封装为小型化设计提供了便利，缩减了电路板的面积，是越来越多电子设备选择的主流封装类型。这种封装能够支持高效的散热设计，在长时间高负载运行时，能够保持器件的温度在安全范围内。

应用场景

ZXMN10A25GTA 适合于多种场景的应用，主要包括：

• 电源管理模块：在 DC-DC 转换器和开关电源中，作为开关器件，提供高效的功率转换。
• 电机控制：在直流电机的驱动应用中，实现高频率开关控制，提供精确的电流控制。
• LED 照明驱动：用作 LED 驱动电路中的开关器件，确保 LED 的亮度均匀且高效。
• 低功耗电子产品：在便携式设备和可穿戴设备中，以较小的封装体积和高效率满足用户对电池续航的需求。

性能特点

ZXMN10A25GTA 的性能特点使其在市场上获得了广泛认可。较低的导通电阻带来了显著的功效提升，同时提供了更高的漏源电压，意味着它能够处理更多的功率而不会受到过热的影响。此外，其集成的栅极电荷 (Qg) 仅为 17nC @ 10V，降低了驱动电路的要求，简化了设计复杂度。

供应商信息

ZXMN10A25GTA 由 DIODES（美台）公司生产，凭借其在半导体市场中的丰富经验，DIODES为用户提供高质量、高可靠性的产品，确保长期的技术支持和服务。

结论

ZXMN10A25GTA 是一款集多项优势于一身的 N 沟道 MOSFET，非常适合现代电子设备中的多元化应用。其卓越的电气特性和高效的功率管理能力，为设计工程师提供了可靠的解决方案。无论是在电源管理、电子驱动还是其他灵活的应用场合，ZXMN10A25GTA 都能够有效满足您的需求。