描述：场效应管(MOSFET) 350mW 60V 200mA 1个N沟道 SOT-23-3
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.55Ω@10V,200mA
功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)35pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)8pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
ZVN4106FTA 产品概述
一、产品简介
ZVN4106FTA 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为低功耗应用而设计。其封装形式为 SOT-23-3，适合表面贴装技术（SMD），可以广泛应用于各种电子设备中。该器件具备卓越的电气特性和广泛的工作温度范围，适合于需要高效率和稳定性的场合。
二、主要规格
- 安装类型: 表面贴装型
- 最大漏极电流 (Id): 200mA（Ta=25°C）
- 最大漏源电压 (Vdss): 60V
- 导通电阻 (Rds On): 最大值 2.5Ω @ 500mA，10V (不同 Id、Vgs)
- 输入电容 (Ciss): 最大值 35pF @ 25V (不同 Vds)
- 驱动电压 (Vgs): 5V 和 10V（适用于最小 Rds On 的控制）
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 3V @ 1mA (不同 Id 时)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 功率耗散: 最大值 350mW（Ta）
三、工作原理
MOSFET 在电子工程中作为开关和放大器的关键元件，其主要工作原理基于电场效应。N 沟道 MOSFET 通过施加在栅极（G）上的电压来控制漏极（D）和源极（S）之间的电流流动。当 Vgs 超过阈值电压 (Vgs(th)) 时，漏极电流 (Id) 开始流动，并通过 MOSFET 的导通路径（形成通道）。其导通电阻 (Rds On) 在开关状态下越低，代表着 MOSFET 在导通状态下的能量损耗将越小，提高整体系统的能效。
四、应用场景
ZVN4106FTA 广泛用于以下应用场景：
- 开关电源：在高频开关电源中驱动和控制通断，减少能量损耗。
- 电机控制：在小型电机或舵机控制电路中，提供高稳定性的开关效果。
- LED 驱动电路：在LED照明和背光应用中，实现高效的开关驱动。
- 负载开关：用于各种负载控制电路中，快速切换负载的接通和断开。
五、优势与特点
- 低导通电阻：Rds On 高效能的特性使其非常适合于需要高电流和低损耗的应用。
- 宽广的工作温度范围：-55°C 到 150°C 的高温系数，使其可以在各种极端环境中稳定运行。
- 高电压能力：能够承受高达 60V 的漏源电压，适合不同电压等级的应用需求。
- 小巧的封装：SOT-23 封装设计适合高密度电路板，节省空间，简化布局。
六、结论
ZVN4106FTA 是一款性价比高的 N 沟道 MOSFET，凭借其低 Rds On、广泛的工作温度和小巧的封装，适用于多种电子产品的设计与开发。无论是在开关电源、电机控制还是LED驱动方面，它都能提供可靠的性能，满足现代电子设计的多样化需求。选择 ZVN4106FTA，将为您的应用带来更高的效率和更好的可靠性。