STP60NF10

STP60NF10 产品概述

概述

STP60NF10 是意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有100V的漏源极电压（Vdss）和80A的连续漏极电流（Id），封装类型为TO-220-3。这款 MOSFET 适用于各种需要高电流高电压的功率电子应用，如电源转换器、马达驱动、电灯调光器以及其他需要高效率开关的电路。

技术参数

1. 封装类型: TO-220-3

   • TO-220 封装是功率MOSFET应用中常见的封装形式，具备良好的散热性能和较大的安装面积，适合处理高功率应用。

2. 漏源极电压 (Vdss): 100V

   • STP60NF10 可承受的最大电压为100V，使其适合在高电压应用中使用。

3. 连续漏极电流 (Id): 80A

   • 在适当的冷却条件下（热沉），该MOSFET能够持续输出高达80A的电流，满足高电流应用的需求。

4. 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为23毫欧（@ 40A，10V）

   • 低导通电阻意味着在导通状态下功耗较小，从而提升整体能效。

5. 栅源电压 (Vgs): ±20V

   • 提供相对较宽的栅源电压范围，适合多种驱动电压条件。

6. 栅极电荷 (Qg): 最大值104nC（@ 10V）

   • 栅极电荷的数值对开关速度有直接影响，较低的Qg值有助于提高开关频率，降低开关损耗。

7. 输入电容 (Ciss): 最大值4270pF（@ 25V）

   • 输入电容的大小影响MOSFET的驱动功率和开关特性，较低的值使其更易于驱动。

8. 功率耗散 (Pd): 最大值300W

   • 高的功率耗散能力使得该MOSFET可在高负载条件下安全运行，降低了过热和损坏的风险。

应用场景

STP60NF10 的设计使其在多种应用中表现优异，包括但不限于：

1. 开关电源 (SMPS):

   • 用于高效的电流转换与控制，提高电源的能效和稳定性。

2. 马达驱动:

   • 在无刷直流电动机和步进电机控制中，MOSFET能够快速开关，从而实现精确的速度控制和高效的驱动能力。

3. DC-DC 转换器:

   • 在提高转换效率和减少功耗方面，STP60NF10 是一种理想选择，适用于降压（Buck）和升压（Boost）转换器。

4. 音频放大器:

   • 在高功率音频应用中，MOSFET 可以提供高效的开关特性，有助于提升音质和输出功率。

5. LED 驱动:

   • 适合用于高功率 LED 驱动电路，提供稳定的电流和亮度控制。

结论

STP60NF10 是一款性能卓越的N沟道MOSFET，尤其适合高电压和高电流的功率应用领域。凭借其低导通电阻、高功率耗散能力和良好的开关性能，该器件能够有效降低能量损耗，提升电路的整体效率。无论是在电源管理、马达控制还是其他高功率应用中，STP60NF10 都是一款值得信赖的解决方案。如果您的项目涉及到高效能和高稳定性的电源或者驱动控制，STP60NF10 都是一个值得推荐的选择。