型号:

STP11NK40ZFP

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220FP
批次:-
包装:管装
重量:2.5g
其他:
STP11NK40ZFP 产品实物图片
STP11NK40ZFP 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 30W 400V 9A 1个N沟道 TO-220F-3
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产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))550mΩ@10V,4.5A
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@100uA
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)930pF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)140pF

STP11NK40ZFP 产品概述

一、产品简介

STP11NK40ZFP 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件设计用于高压和高电流应用,具有出色的导通特性和良好的热管理能力,适合在多种电源管理、电机驱动和开关应用中使用。产品的封装类型为TO-220, 提供了出色的散热性能和易于集成的特性。

二、主要参数

  1. 漏源电压(Vdss): 400V

    • 该产品在额定电压下可稳定工作,适用于高电压环境。
  2. 连续漏极电流(Id): 9A @ 25°C

    • 适合中等功率的应用,能够提供9A的连续电流,具备好的电流承载能力。
  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4.5V @ 100µA

    • 低的阈值电压能够使MOSFET在较低的控制电压下迅速导通,提升开关效率。
  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 550mΩ @ 4.5A, 10V

    • 低导通电阻产品提供了有效的能量转换,有助于减少散热和提高效率。
  5. 最大功率耗散: 30W

    • 在适当的散热条件下,该产品能有效地传导热量,确保系统安全。
  6. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

    • 广泛的工作温度范围使得该MOSFET适用于恶劣环境及极端温度的应用场合。
  7. 封装类型: TO-220

    • TO-220封装设计有利于增强设备的散热效果,使其在高负载下稳定运行。

三、应用领域

STP11NK40ZFP MOSFET 适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 电源供应:可用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和高效电源转换器。
  • 电机驱动:适合用于直流电机和步进电机的驱动电路,提供高效的开关控制。
  • 电动工具:在电动工具中可作为开关元件,确保高效的电力传输。
  • 汽车应用:由于其优异的耐温性,适合用于汽车电子控制模块(ECM)和相关驱动电路。
  • 电力管理系统:可广泛应用于工业设备、电网控制和其他需要可靠功率调节的场合。

四、技术特点

  • 高性能开关特性:由于其低的Rds(on)和较快的开关速度,STP11NK40ZFP 能够有效地减少开关过程中的功耗。

  • 高温工作能力:产品设计考虑到高温工作条件,使其在极端环境下依然能够稳定工作,提高了整体可靠性。

  • 优化驱动设计:最大栅电压为±30V,适配多种控制逻辑,实现高效的开关控制。

五、总结

总体而言,STP11NK40ZFP是一款性能卓越、稳定可靠的N沟道MOSFET,汇聚了高电流、电压承受能力和优异的散热特性。凭借其多种优越特性,广泛适用于电源管理、工业设备和汽车电子等领域。意法半导体凭借其强大的可靠性和创新技术,继续为客户提供高质量的电子元器件,助力产品研发和工程应用。