描述：表面贴装型-P-通道-60V-2.5A（Tc）-2.5W（Tc）-SOT-223
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
7.7
100+
6.69
1000+
6.08
2000+
5.85
产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
FET类型P沟道
漏源极电压（Vdss）60V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）220 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）21nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）850pF @ 25V
功率耗散（最大值）2.5W（Tc）
工作温度-65°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装SOT-223
STN3PF06 产品概述
1. 产品背景
随着电子技术的不断发展，现代电子设备对于高效能、高可靠性的电子元件需求日益增加。其中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为一种重要的电子开关和信号放大器，广泛应用于电源管理、信号调节和高频开关等领域。STN3PF06 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款优质 P 型 MOSFET，具有高漏源电压和较低的导通电阻特性，适用于各类电子产品中。
2. 主要参数
STN3PF06 采用 TO-261-4/SOT-223 封装，适合表面贴装（SMT）技术，能够有效节省电路板空间，提升组装效率。该器件的主要电气特性如下：
- 漏源电压 (Vdss): 60V，适合为高电压电路提供开关和调节功能。
- 连续漏极电流 (Id): 2.5A（Tc），确保器件在一定工作温度下仍能安全运行。
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大 220 毫欧 @ 1.5A，10V，意味着在导通状态下损耗较小，有助于提升电源效率。
- 栅极电压 (Vgs): 最大 ±20V，提供更大的设计灵活性，可以适应不同的驱动需求。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V @ 250µA，确保MOSFET能够在合理的栅极电压下快速开启。
- 输入电容 (Ciss): 最大 850pF @ 25V，适合用于高频率应用，降低开关损耗。
3. 应用领域
STN3PF06 在多个电子应用中显示出卓越的性能，主要应用领域包括：
- 电源管理: 可用于DC-DC 转换器、开关电源和高效电源分配电路。
- 电机驱动: 在电机控制电路中充当开关，优化电机的驱动效率。
- 信号调节: 用于音频和视频信号的开关控制、高频信号放大等场合。
- 消费电子: 如手机、数码相机等便携式设备中，为系统提供高效的功率转换和管理。
4. 性能优势
STN3PF06 的设计考虑了多个方面以确保其高效能和可靠性：
- 低导通电阻: 这一特性使得器件在工作过程中发热较少，从而降低了系统的散热需求，提升了整体效率。
- 宽工作温度范围: 工作温度范围为 -65°C 至 150°C，使得 STN3PF06 可在极端环境下正常工作，适应多种应用场合。
- 很高的功率耗散能力: 最大功率耗散为 2.5W，能够满足多种高功率应用的需求。
5. 结论
STN3PF06 是一款性能优异的 P 型 MOSFET，具备高漏源电压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合广泛应用于电源管理和功率控制领域。作为意法半导体的优质产品，它提供了优秀的电气性能和可靠性，能够满足当今电子产业对高效能和高可靠性元件的需求。无论是在消费电子、工业控制，还是在电机驱动等应用场合，STN3PF06 都展现出卓越的价值，成为设计工程师首选的电子元件之一。